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BSS209PW 发布时间 时间:2025/5/12 20:01:49 查看 阅读:15

BSS209PW 是一种 N 沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于需要高效率和低功耗的电子电路中。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热稳定性等特点。
  由于其小型封装和高性能表现,BSS209PW 在各种消费类电子产品、工业控制和汽车电子领域中都有广泛应用。

参数

最大漏源电压:50V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:1.8A
  脉冲漏极电流:6.7A
  导通电阻:0.7Ω
  栅极电荷:3nC
  开关时间:ton=40ns, toff=95ns

特性

BSS209PW 的主要特性包括:
  1. 低导通电阻(Rds(on))使其在大电流应用中保持较低的功耗。
  2. 高开关速度能够适应高频工作环境。
  3. 小型 SOT-23 封装节省了 PCB 空间。
  4. 支持高达 50V 的漏源电压,适合多种低压应用场景。
  5. 栅极驱动要求简单,便于与逻辑电路集成。
  6. 具有良好的温度稳定性,能够在较宽的工作温度范围内可靠运行(-55°C 至 +150°C)。
  7. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代设计需求。

应用

BSS209PW 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和负载开关。
  2. DC-DC 转换器和降压/升压电路。
  3. 电池保护电路和充电管理。
  4. 消费类电子产品的负载切换和信号调节。
  5. 工业设备中的电机驱动和继电器控制。
  6. 汽车电子中的 LED 驱动和其他低压控制功能。
  7. 各种保护电路,如过流保护和短路保护。

替代型号

BSS123, BSS84, PMV18XN

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BSS209PW参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列OptiMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)
  • 产品状态停产
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)580mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)550 毫欧 @ 580mA,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.2V @ 3.5μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)1.38 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)89.9 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)520mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-SOT323
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323