时间：2025/9/14 13:46:35
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BSS192,135 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小型SOT-23封装，适用于需要低导通电阻和快速开关性能的应用。该MOSFET设计用于低压开关应用，具有较高的可靠性和稳定性，广泛应用于便携式电子设备、电源管理和信号切换电路中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：25V
栅源电压（Vgs）：±10V
连续漏极电流（Id）：100mA
功耗（Ptot）：300mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
存储温度范围：-65°C至+150°C
BSS192,135具有多个显著的技术特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）确保了在导通状态下的高效能表现，同时减少功率损耗。
其次，该器件具备快速开关能力，适用于高频开关应用，从而提高了整体系统效率。
此外，BSS192,135采用了SOT-23封装，具有良好的热稳定性和机械强度，适用于表面贴装技术（SMT），便于自动化生产。
该MOSFET还具有良好的抗静电能力（ESD）保护，提高了器件在操作和存储过程中的可靠性。
最后，BSS192,135的低栅极电荷（Qg）使其适用于低功耗驱动电路，降低了驱动损耗并提升了响应速度。
该器件广泛应用于多个领域，包括便携式电子设备中的电源管理电路，用于实现高效的电能分配和电池管理。
在数字和模拟开关电路中，BSS192,135用于信号路由和控制，提供快速且低功耗的切换能力。
此外，它也适用于传感器接口电路，作为低功耗开关元件，确保信号的稳定传输。
在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该MOSFET常用于LED驱动、LCD背光控制和充电管理模块。
工业控制系统中，BSS192,135可用于小型继电器驱动、逻辑电平转换和微控制器外围电路。
BSS192,215、BSS192,315、BSH101、BSS138
