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BSS169H6327XTSA1 发布时间 时间:2024/5/24 11:44:35 查看 阅读:211

BSS169H6327XTSA1是一款通用场效应输电晶体管(MOSFET),它具有高性能和可靠性。该晶体管通过控制输入电压,实现对输出电流的调节。它被广泛应用于各种电子设备和电路中。
  MOSFET是一种通过电压控制来实现开关功能的半导体器件。其工作原理基于电场效应,即通过在栅极和源极之间施加电压,改变沟道区的电荷密度,从而控制沟道的电导性。
  在N沟道增强型MOSFET中,当栅极-源极电压(Vgs)高于一定阈值(Vth)时,沟道形成,电子可以从源极流向漏极,器件导通。当Vgs小于Vth时,沟道关闭,电子无法流动,器件截止。

基本结构

MOSFET的核心结构由四个部分组成:源极(Source)、漏极(Drain)、栅极(Gate)和衬底(Substrate)或体(Bulk)。在N沟道MOSFET中,源极和漏极由N型半导体材料制成,而衬底是P型材料。
  ●源极(Source):电子的来源,与衬底形成PN结。
  ●漏极(Drain):电子流向的目标,与源极在结构上类似但在电路中扮演不同角色。
  ●栅极(Gate):通过施加电压以控制漏极和源极之间电流的部分。它由绝缘层(如SiO2)和导电层(如多晶硅)构成。
  ●衬底/体(Substrate/Bulk):通常与源极相连,作为整个器件的基础。

参数

- 最大漏极电压(VDS):60V
  - 最大漏极电流(ID):0.15A
  - 最大功耗(PD):450mW
  - 前面板温度范围(TJ):-55℃至150℃
  - 接线温度范围(TJ):-55℃至150℃
  - 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):250mΩ

特点

- 低漏极电阻(RDS(ON)):通过采用先进的MOSFET工艺和结构设计,该器件可以实现较低的漏极电阻,从而减小功率损耗。
  - 高开关速度:由于器件内部电容较小,BSS169H6327XTSA1具有快速的开关特性,适用于高频开关应用。
  - 低导通电阻:通过优化结构和材料,该器件有效降低了导通状态下的电阻,提高了效率和热稳定性。
  - 高可靠性:BSS169H6327XTSA1具有优秀的温度稳定性、抗电压冲击和抗剪切强度,具备长寿命和可靠性。

工作原理

BSS169H6327XTSA1采用了N沟道增强型MOSFET结构,其工作原理如下:当施加正向偏置电压(VGS)时,电流从源极进入漏极,形成导通状态。当施加零偏或负偏压时,电流无法通过漏极,器件处于截止状态。利用源极-栅极电压(VGS)来控制漏极电流(ID),从而实现开关控制和功率管理功能。

应用

BSS169H6327XTSA1因其优异的性能和灵活性,被广泛应用于多种领域:
  ●电源管理:用于开关调节器、线性调节器、电源供应模块中,实现高效的电能转换和分配。
  ●负载开关:控制其他电路或设备的电源开关,以节省能源或防止电路损坏。
  ●信号放大:在模拟电路中用作信号放大器,提高信号强度。
  ●高频开关:在通信设备、逆变器和变频器中用于高速开关控制。

如何使用

BSS169H6327XTSA1是一款N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),它广泛应用于电源管理、开关、负载开关和信号处理等领域。这款MOSFET以其低导通电阻、高开关速度和低栅极驱动电压等特性,成为设计工程师选择的常见元件之一。以下是关于如何使用BSS169H6327XTSA1的简要介绍:
  1、了解其特性: 首先,熟悉BSS169H6327XTSA1的主要电气特性,如最大漏极-源极电压(Vds)、最大连续漏极电流(Id)、栅极阈值电压(Vgs(th))等,这有助于在设计时选择合适的工作条件。
  2、选择合适的工作电压和电流: 确保您的应用中BSS169H6327XTSA1的工作电压和电流不超过其规格书中给出的最大值。
  3、驱动栅极: 考虑到其为N沟道MOSFET,其栅极需要一个正电压来开启。确保栅极驱动电路能提供足够的电压,以使MOSFET完全导通。同时,驱动电压不应超过最大栅极-源极电压(Vgs)。
  4、散热设计: 在高电流应用中,BSS169H6327XTSA1可能会产生较多热量。设计合适的散热措施,如散热片或良好的PCB散热设计,以保持MOSFET在安全温度范围内工作。
  5、保护电路: 考虑到电源系统的稳定性和安全性,可以设计一些保护电路,如过电流保护、过热保护等,以防止MOSFET因异常条件损坏。
  6、测试和验证: 在设计完成后,通过实际的电路测试来验证BSS169H6327XTSA1的性能是否满足应用要求。注意检查在不同工作条件下MOSFET的稳定性和可靠性。
  通过以上步骤,您可以有效地利用BSS169H6327XTSA1在您的电子设计中。记住,阅读和遵循制造商提供的详细数据手册总是非常重要的,这将提供更详细的使用指南和注意事项。

安装要点

在使用BSS169H6327XTSA1进行开发时,需要注意以下几个安装要点:
  1、确保正确的极性:BSS169H6327XTSA1具有三个引脚,包括源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。在安装前,请确保正确连接各引脚。通常情况下,源极是与电源相连的引脚,漏极是连接至负载的引脚,而栅极是控制信号输入的引脚。连接错误的极性可能会导致器件无法正常工作或损坏。
  2、检查封装类型和尺寸:BSS169H6327XTSA1可以采用不同的封装类型,例如表面贴装封装(SMD)或插装封装(Through-Hole)。在安装前,请确认所选封装类型与您的应用要求匹配,并检查器件尺寸是否适合安装。
  3、使用合适的焊接技术:对于SMD封装的BSS169H6327XTSA1,通常会使用热风枪或回流焊接设备进行安装。在焊接过程中,请确保温度和 ** 得当,以避免过热或焊接不良。对于插装封装的器件,可以使用手动焊接方法或波峰焊接技术进行安装。请确保焊接质量良好,避免过多的热量对器件造成损害。
  4、保持散热:BSS169H6327XTSA1在工作过程中会产生一定的热量,因此需要保持良好的散热。您可以在安装过程中使用散热片或散热器来帮助传导和散发热量。此外,确保器件安装在合适的散热条件下,避免过高的环境温度。
  5、防止静电损坏:静电可能对BSS169H6327XTSA1造成损坏。在安装过程中,请使用适当的防静电措施,例如穿戴静电防护手套、使用静电防护垫等。同时,避免将器件触摸在易产生静电的物体上,并且在存储和携带器件时,应使用防静电包装或容器。
  重要提示:提供的信息仅供参考,请在实际安装前参考BSS169H6327XTSA1的规格书、数据表以及相关文档,并遵循厂商的推荐和建议。

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BSS169H6327XTSA1参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥3.74000剪切带(CT)3,000 : ¥1.31197卷带(TR)
  • 系列SIPMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)170mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)0V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)6 欧姆 @ 170mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.8V @ 50μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)2.8 nC @ 7 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)68 pF @ 25 V
  • FET 功能耗尽模式
  • 功率耗散(最大值)360mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-SOT23
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3