时间：2025/5/10 12:33:58
阅读：11
BSS169是一种N沟道增强型小信号MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件通常用于低功率开关应用和射频电路中。由于其较低的导通电阻和较高的开关速度，BSS169在便携式设备、音频放大器以及各种消费类电子产品中有广泛应用。
BSS169采用SOT-23封装形式，这种小型封装使其非常适合空间受限的应用场景。此外，它具有良好的电气特性和温度稳定性，能够满足多种电子设计需求。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：200mA
导通电阻（Rds(on)）：5.5Ω（典型值，Vgs=4.5V时）
功耗：380mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
BSS169的主要特点包括：
1. N沟道增强型MOSFET结构，适用于各种开关和逻辑电路。
2. 小型化SOT-23封装，适合高密度组装。
3. 具有快速开关能力，可有效降低开关损耗。
4. 高输入阻抗，易于驱动。
5. 较低的导通电阻确保了高效运行并减少了发热。
6. 广泛的工作温度范围，适应不同环境条件下的应用。
BSS169被广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源中的同步整流。
2. 消费类电子产品中的负载开关控制。
3. 音频设备中的静音开关和电平转换。
4. 电池供电设备中的电源管理。
5. 射频电路中的信号切换和调制解调功能。
6. 数据通信接口保护及ESD防护电路。
BSS138,BSS84
