时间：2025/4/27 16:46:39
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BSS139是一款N沟道增强型小信号MOSFET，采用SOT-23封装形式。该器件具有低栅极电荷、快速开关特性和低导通电阻的特点，适合应用于高频开关电路、负载开关、电源管理以及便携式电子设备等领域。
这款MOSFET因其紧凑的尺寸和出色的电气性能而广泛用于空间受限的设计中。其典型应用包括电池供电设备、消费类电子产品中的信号切换和小型化设计。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
连续漏电流：200mA
脉冲漏电流：1A
栅极电荷：5nC
导通电阻：7.5Ω（在Vgs=10V时）
工作结温范围：-55℃至+150℃
BSS139具备以下显著特性：
1. 低导通电阻确保了高效的电流传输，从而减少功率损耗。
2. 快速开关能力使其非常适合高频应用场景。
3. 小巧的SOT-23封装便于实现高密度PCB布局。
4. 高可靠性和稳定性，能够在较宽的工作温度范围内正常运行。
5. 良好的静电放电（ESD）保护能力增强了器件的耐用性。
6. 符合RoHS标准，环保无铅材料制造。
BSS139主要应用于以下领域：
1. 消费类电子产品中的负载开关和电源管理。
2. 电池供电设备中的电源控制和保护。
3. 数据通信和电信设备中的信号切换。
4. 各种便携式设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
5. 工业自动化系统中的小型化控制模块。
6. 音频设备中的静音开关和信号路由功能。
AO3400
IRLML2402
BSS84
