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BSS138_R1_00001 发布时间 时间:2025/5/24 14:34:28 查看 阅读:15

BSS138是一种N沟道小信号增强型MOSFET晶体管。它具有低栅极电荷、快速开关特性和较低的导通电阻,广泛应用于各种电子电路中作为开关或放大器件。
  该器件采用SOT-23封装形式,具备优良的热稳定性和可靠性,适合用于便携式设备和空间受限的应用场景。

参数

最大漏源电压:50V
  最大栅源电压:±20V
  最大漏极电流:0.2A
  导通电阻:5.4Ω(在Vgs=10V时)
  总功耗:270mW
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

BSS138具有非常低的输入电容和输出电容,这使得它非常适合高频开关应用。其阈值电压较低,通常在1V到2.5V之间,便于驱动。此外,由于采用了SOT-23小型封装,它能够在不显著增加PCB面积的情况下实现高密度组装。
  BSS138还具备出色的ESD防护能力,能够承受超过2kV的人体模型静电放电测试,提高了其在实际应用中的抗干扰性能。
  这种MOSFET的工作温度范围很宽,可以在极端环境下保持稳定运行。同时,它的漏电流非常低,在关断状态下几乎不会产生额外功耗,非常适合电池供电设备。

应用

BSS138主要用于需要小信号处理的场合,例如消费类电子产品中的音频信号切换、数据线保护以及电源管理模块中的负载开关控制等。
  它还可以用作固态继电器的核心元件,在工业自动化系统中执行逻辑电平转换任务或者隔离不同电压等级的电路部分。
  此外,BSS138也常被设计进移动通信终端产品里,如智能手机和平板电脑,用于射频前端匹配网络和天线切换功能。

替代型号

BSS84, 2N7000, SI2302DS

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