类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：220mA（@25°C）
　　漏源导通电阻（Rds(on)）：3.5Ω（@Vgs=10V）
　　栅极电荷（Qg）：8.3nC
　　功率耗散（Ptot）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：SOT-23

BSS138T/R MOSFET具备多项优良特性，适用于多种电子设计应用。其低导通电阻（Rds(on)）为3.5Ω，确保在导通状态下能够保持较低的功耗和较高的效率，这在电池供电设备中尤为重要。该器件的最大漏源电压为100V，支持较高的电压操作，适用于多种电源管理场景。栅极电荷（Qg）为8.3nC，有助于降低开关损耗，提高系统整体效率。此外，BSS138T/R的SOT-23封装形式非常紧凑，便于在空间受限的设计中使用，同时支持表面贴装技术，提升制造效率和可靠性。
　　这款MOSFET的栅源电压范围为±20V，具备较高的栅极驱动兼容性，能够与多种控制电路配合使用。其最大连续漏极电流为220mA，在常温下可支持中等功率负载。BSS138T/R的热性能也经过优化，能够在较高的环境温度下稳定运行，适用于工业级应用。此外，其工作温度范围从-55°C到+150°C，保证了在极端环境下的可靠性。

BSS138T/R MOSFET主要应用于低电压、中等功率的电子系统中。由于其高可靠性和紧凑的封装形式，该器件常用于电源管理系统，如DC-DC转换器、负载开关和稳压电路。此外，它还可用于电池供电设备中的电源管理模块，如便携式电子产品、智能手表和物联网设备。BSS138T/R的低导通电阻和高效能特性使其成为LED驱动电路和信号切换应用的理想选择。在工业自动化和控制系统中，该MOSFET也常用于小型电机驱动、继电器替代以及传感器电路中的开关元件。由于其良好的温度稳定性和抗干扰能力，BSS138T/R也可用于通信设备、消费类电子产品以及汽车电子系统中的辅助电源管理模块。

2N7002, FDN337N, BSS138, IRLML6401, 2N3904