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BSS138NH6327XTSA2 发布时间 时间:2025/4/30 18:39:38 查看 阅读:2

BSS138NH6327XTSA2 是一款 N 沟道增强型小信号 MOSFET。该器件采用 SOT-23 封装形式,适合于各种低功率开关应用和便携式设备。BSS138 具有较低的导通电阻和良好的开关特性,适用于需要高频和低功耗的应用场景。
  该型号属于 BSS138 系列,具有高稳定性和可靠性,能够满足消费电子、工业控制以及通信领域的需求。

参数

最大漏源电压:50V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:200mA
  脉冲漏极电流:1.1A
  导通电阻(典型值):4.5Ω
  总电容:45pF
  栅极电荷:1nC
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

BSS138NH6327XTSA2 的主要特性包括:
  1. 低导通电阻,有助于减少功率损耗并提高效率。
  2. 快速开关速度,非常适合高频应用。
  3. 小型封装(SOT-23),节省 PCB 空间。
  4. 高静电放电 (ESD) 耐受能力,增强了器件的稳定性。
  5. 宽工作温度范围,适应各种恶劣环境。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。

应用

该器件广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源中的初级侧或次级侧开关。
  2. 电池供电设备中的负载开关。
  3. 信号切换和保护电路。
  4. 数据通信接口中的保护元件。
  5. 工业控制系统中的小型驱动器。
  6. 消费类电子产品如智能手机、平板电脑等中的电源管理模块。

替代型号

BSS138, SI2302DS, FDN339AN

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BSS138NH6327XTSA2参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥3.10000剪切带(CT)3,000 : ¥0.58265卷带(TR)
  • 系列SIPMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)230mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.5 欧姆 @ 230mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.4V @ 26μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)1.4 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)41 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)360mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-SOT23
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3