时间：2025/6/26 17:53:53
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BSS138NH6327 是一款增强型 N 沟道小信号 MOSFET，采用 SOT-23 封装形式。它通常用于低功率开关、负载切换、保护电路等应用中，适合需要高精度和8NH6327 的特点是具有较低的导通电阻和较高的开关速度，同时保持了良好的热稳定性。由于封装小巧，该器件非常适合空间受限的应用环境。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
连续漏电流：200mA
脉冲漏电流：500mA
导通电阻（典型值）：2.5Ω
栅极电荷：1nC
总电容（输入/输出/反向传输电容）：10pF/20pF/1pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
BSS138NH6327 具有以下主要特性：
1. 低导通电阻，减少了功率损耗并提升了整体效率。
2. 快速开关特性使其适用于高频电路。
3. 工作温度范围广，适应各种极端环境条件。
4. 小巧的 SOT-23 封装形式节省了 PCB 空间。
5. 高可靠性和长寿命，能够承受反复的开关操作和瞬态电压冲击。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于焊接和集成。
BSS138NH6327 主要应用于以下领域：
1. 手机和其他便携式电子设备中的电源管理模块。
2. 数据通信设备中的信号切换和隔离。
3. 消费类电子产品中的电池保护和充电控制。
4. 传感器接口电路中的负载驱动。
5. 各种低功率开关和逻辑电平转换电路。
6. 电机驱动和音频放大器中的辅助开关元件。
BSS138, AO3400, SI2302DS
