类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 Vds：100V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　连续漏极电流 Id：100mA
　　导通电阻 Rds(on)：5Ω @ Vgs=10V
　　阈值电压 Vgs(th)：1V ~ 2.5V
　　功率耗散：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装：TSOP

BSS138KDW MOSFET 具有多个显著的电气和物理特性，使其在低功耗应用中表现优异。首先，其漏源电压为 100V，允许在中等电压范围内操作，适用于多种电源管理任务。栅源电压的最大额定值为 ±20V，使其具有良好的抗电压瞬态能力，同时确保栅极控制的稳定性。
　　其次，该器件的连续漏极电流为 100mA，虽然不是高电流器件，但在低功耗逻辑驱动和信号切换应用中已经足够。其导通电阻在 Vgs=10V 时仅为 5Ω，这降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。此外，BSS138KDW 的阈值电压范围为 1V 至 2.5V，使其能够与常见的逻辑电平（如 3.3V 或 5V 微控制器）兼容，简化了驱动电路的设计。
　　在热性能方面，BSS138KDW 的最大功耗为 300mW，能够在小型封装下提供良好的散热能力，适合高密度 PCB 设计。工作温度范围从 -55°C 到 +150°C，使其在工业和汽车环境中也能稳定运行。最后，TSOP 封装不仅节省空间，还便于自动化生产和表面贴装工艺，提高了制造效率。

BSS138KDW MOSFET 被广泛应用于多种电子设备中，尤其是在需要低功耗和小型化设计的场景中。它常用于负载开关电路，作为控制电源通断的开关器件，例如在便携式设备、智能电表和工业控制系统中。由于其栅极电压与逻辑电平兼容，因此也常用于数字电路中作为驱动器，连接微控制器与高功率负载之间。
　　此外，BSS138KDW 在电源管理应用中也表现优异，如电池充电电路、电压调节模块和 DC-DC 转换器中的辅助开关。在通信设备中，它可用于信号路由和隔离控制，确保信号传输的稳定性和可靠性。由于其良好的温度特性和工业级工作范围，BSS138KDW 也适用于汽车电子系统，如车身控制模块、车载娱乐系统和传感器接口电路。

2N7002KDW、FDS6675、IRML2803、SI2302DS、DMN6024LVT