类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：100mA
　　功耗(Pd)：300mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：SOT-23

BSS138E-Q1具备多项优良特性，适合在高可靠性和稳定性要求的汽车应用中使用。
　　首先，其最大漏源电压为100V，能够在较高电压环境下正常工作，适用于多种电源管理场合。栅源电压容限为±20V，确保了在不同输入信号下的稳定操作，并减少了栅极损坏的风险。
　　其次，该器件支持连续漏极电流为100mA，足以满足许多小型功率切换应用的需求。此外，它的功耗仅为300mW，有助于提高整体系统的能效并减少散热设计复杂度。
　　这款MOSFET采用SOT-23小外形封装，便于集成到紧凑的电路板设计中，同时具备良好的热管理和电气性能。由于其-55°C至150°C的宽工作温度范围，BSS138E-Q1可在极端环境条件下稳定运行，例如在发动机舱或户外环境中使用的车载电子设备。
　　作为一款汽车级产品，BSS138E-Q1经过严格的质量认证，符合AEC-Q101标准，确保其在车辆生命周期内的长期可靠性。

BSS138E-Q1主要用于汽车电子系统，包括车身控制模块（BCM）、车载信息娱乐系统（IVI）、电动助力转向系统（EPS）以及车载充电器（OBC）等。
　　它可作为低边开关用于控制灯光、电机或其他负载设备的通断操作，也可用于电平转换电路以实现不同电压域之间的信号传递。此外，该器件还常用于电源管理系统中，如DC-DC转换器和电池管理系统（BMS），以优化能量利用效率。
　　由于其高可靠性和宽温度适应性，BSS138E-Q1也适用于工业自动化控制系统、消费类便携式设备以及通信基础设施等领域。

BSS138, BSS123, 2N7002