时间：2025/8/1 19:10:02
阅读：33
BSS138DWK 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），专为低电压和低电流应用场景设计。该器件采用小型化的表面贴装封装（TSSOP），适用于便携式设备和空间受限的设计。BSS138DWK 具备良好的导通性能和开关特性，能够在低栅极驱动电压下稳定工作，是许多数字和模拟电路中的理想选择。
类型：N 沟道 MOSFET
封装：TSSOP
漏源电压（Vds）：100 V
栅源电压（Vgs）：±20 V
连续漏极电流（Id）：100 mA
导通电阻（Rds(on)）：5 Ω @ Vgs = 10 V
功率耗散：300 mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
BSS138DWK MOSFET 的主要特性之一是其在低栅极驱动电压下仍能保持良好的导通性能，这使得它非常适合用于电池供电设备和低压控制系统。该器件的导通电阻在 Vgs = 10 V 下仅为 5 Ω，能够有效减少导通损耗，提高系统效率。
此外，BSS138DWK 采用小型 TSSOP 封装，具有较高的集成度和节省 PCB 空间的优势，适用于紧凑型设计。其额定漏源电压为 100 V，栅源电压为 ±20 V，连续漏极电流为 100 mA，具备一定的耐压能力，适合中低功率应用。
BSS138DWK MOSFET 常用于便携式电子产品中的电源管理电路，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。它在这些设备中可以作为开关元件，控制电池供电的负载，如 LED 灯、传感器和小型电机。
此外，该器件也广泛应用于数字逻辑电路中的电平转换和信号控制，适用于低功耗和高集成度的设计需求。由于其良好的导通特性和低驱动电压要求，BSS138DWK 还常用于电源管理 IC 和负载开关设计中，为系统提供高效的能量传输解决方案。
2N7002, FDN340P, IRLML6401
