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BSS138DW-7-F 发布时间 时间:2025/12/26 3:39:29 查看 阅读:65

BSS138DW-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于小信号开关和电平转换电路中。该器件采用6引脚的SOIC封装(也称为SOT-363或SC-88),具有双通道配置,即在一个封装内集成两个独立的N沟道MOSFET,适合需要节省PCB空间的高密度设计。BSS138DW-7-F基于成熟的硅栅极工艺制造,具备良好的开关特性和较低的导通电阻,能够在低电压环境下高效工作。其最大漏源电压(VDS)为50V,连续漏极电流(ID)可达225mA(每通道),适用于电池供电设备、便携式电子产品以及数字逻辑接口中的电平移位应用。由于其输入阻抗高、驱动功率低、开关速度快等优点,BSS138DW-7-F在现代电子系统中常被用于替代传统的双极型晶体管进行信号切换与控制。
  该器件的工作温度范围通常为-55°C至+150°C,结温能力较高,具备良好的热稳定性,适合工业级和消费类应用场景。此外,BSS138DW-7-F符合RoHS环保标准,无铅且绿色环保,支持回流焊工艺,便于自动化贴装生产。由于其封装尺寸小巧,特别适合用于手机、平板电脑、可穿戴设备和其他对空间要求严格的嵌入式系统中。作为一款通用型双N沟道MOSFET阵列,它在I2C总线缓冲、USB接口电平转换、GPIO扩展和多电源域之间的信号隔离等方面表现出色。

参数

型号:BSS138DW-7-F
  类型:双N沟道MOSFET
  封装:SC-88 (SOT-363)
  通道数:2
  漏源电压(VDS):50V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID)@25℃:225mA
  脉冲漏极电流(IDM):900mA
  导通电阻(RDS(on))@VGS=10V:约4.5Ω
  导通电阻(RDS(on))@VGS=4.5V:约5.5Ω
  阈值电压(VGS(th))@ID=250μA:0.65V ~ 1.5V
  输入电容(Ciss)@VDS=25V:约12pF
  开启延迟时间(td(on)):约5ns
  关断延迟时间(td(off)):约15ns
  工作结温范围:-55℃ ~ +150℃
  安装方式:表面贴装

特性

BSS138DW-7-F具备优异的电气性能和可靠性,其核心优势在于双通道集成设计与小型化封装的结合,使得在有限的空间内实现两个独立MOSFET的功能成为可能。每个通道均具备低阈值电压特性,典型值约为0.65V至1.5V之间,这意味着即使在低至1.8V或3.3V的逻辑电平下也能有效导通,非常适合现代低功耗微控制器与外围设备之间的接口匹配。同时,该器件在VGS=4.5V时仍能保持较低的导通电阻(约5.5Ω),确保在负载切换过程中能量损耗最小化,提升整体系统效率。
  另一个显著特点是其快速开关能力,开启延迟时间约为5ns,关断延迟时间约为15ns,配合较低的输入电容(Ciss约12pF),使其能够胜任高频信号切换任务,如I2C总线扩展或多路复用控制。由于MOSFET为电压驱动型器件,所需栅极驱动电流极小,因此对前级逻辑电路的负载影响几乎可以忽略,有利于提高系统的稳定性和响应速度。
  此外,BSS138DW-7-F采用SOIC-6(SC-88)封装,具有良好的散热性能和机械强度,适合自动化贴片生产流程。该封装形式还减少了寄生电感和电阻,有助于抑制高频噪声和电磁干扰。器件本身经过严格测试,具备高耐压能力和长期运行稳定性,可在严苛环境条件下持续工作。其宽泛的工作结温范围(-55°C至+150°C)使其不仅适用于常规消费类电子产品,也可用于部分工业控制和汽车电子系统中。综合来看,BSS138DW-7-F是一款高性能、高集成度的小信号MOSFET解决方案,兼具节能、高速与紧凑布局的优势。

应用

BSS138DW-7-F主要用于需要低电压、低功耗和高集成度的电子系统中。常见应用包括多电压系统间的电平转换,例如将1.8V逻辑信号转换为3.3V或5V信号,广泛应用于微控制器单元(MCU)、现场可编程门阵列(FPGA)与传感器、存储器或其他外设之间的通信接口。由于其双通道结构,特别适合I2C、SPI等串行总线的双向电平移位电路,能够在不同电源域之间安全传输数据而不引起电流倒灌或逻辑冲突。
  此外,该器件也常用于电池供电设备中的负载开关控制,通过MOSFET的导通与截止来启用或关闭某个子系统,从而实现动态电源管理,延长续航时间。在便携式医疗设备、智能手表、无线耳机等可穿戴产品中,BSS138DW-7-F可用于使能蓝牙模块、显示屏背光或加速度传感器的供电路径。
  在数字逻辑电路中,它可以作为简单的开关元件用于GPIO扩展、LED驱动或继电器控制,尤其适合需要隔离高低压区域的场合。由于其快速响应特性,还可用于高频信号路由选择或多路复用器辅助控制。在自动测试设备(ATE)和数据采集系统中,BSS138DW-7-F可用于构建精密的模拟开关前端,实现通道切换功能。总之,凡是涉及小电流开关、电平匹配或电源管理的应用场景,BSS138DW-7-F都是一种可靠且经济的选择。

替代型号

DMG2304LUS-7
  FDC6322P
  SI2302CDS-T1-E3
  MAX14627EUTR
  TS3L501E

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BSS138DW-7-F参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)50V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C200mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.5 欧姆 @ 220mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds50pF @ 10V
  • 功率 - 最大200mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装SOT-363
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BSS138DW-FDITR