时间：2025/9/14 9:02:05
阅读：3
BSS138BKSH 是一款由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道增强型 MOSFET，广泛用于低电压和中等功率应用。该器件采用小型 SOT-23 封装，适用于需要高速开关和低导通电阻的场景。BSS138BKSH 在逻辑电平控制下即可工作，因此非常适合用于数字电路和微控制器接口。
类型: N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流 (ID): 100 mA
最大漏-源电压 (VDS): 50 V
最大栅-源电压 (VGS): ±20 V
导通电阻 (RDS(on)): 3.5 Ω @ VGS = 10 V
阈值电压 (VGS(th)): 1.0 V ~ 2.5 V
封装类型: SOT-23
工作温度范围: -55°C ~ 150°C
BSS138BKSH 的主要特性之一是其逻辑电平兼容性，允许其在微控制器或数字电路的直接控制下运行。由于其导通电阻较低（在 VGS = 10 V 时为 3.5 Ω），该器件在开关应用中表现出色，减少了功率损耗。此外，该 MOSFET 具有较高的耐压能力（VDS 为 50 V），可在多种电源管理场景中使用。SOT-23 小型封装形式使其非常适合用于空间受限的 PCB 设计。另外，该器件具有良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内运行，适合工业和汽车应用。
在动态特性方面，BSS138BKSH 具有较快的开关速度，适用于高频 PWM 控制电路。其栅极电荷较低，进一步提升了开关效率。此外，该 MOSFET 的漏极和源极之间具有较高的击穿电压，使其在突波或瞬态电压情况下仍能保持稳定运行。BSS138BKSH 还具有良好的抗静电能力，提高了在生产、运输和使用过程中的安全性。
BSS138BKSH 常用于低功率开关电路、逻辑电平转换、继电器驱动、LED 控制、电池管理系统、电源管理模块以及微控制器外围接口。由于其低导通电阻和逻辑电平兼容性，它在工业自动化、消费电子产品和汽车电子系统中得到了广泛应用。例如，在嵌入式系统中，它可以作为负载开关或信号路由元件；在电源管理系统中，可用于电池充放电控制；在 LED 照明应用中，可作为恒流控制开关使用。
2N7002, BSS138LT1, FDV301N, IRLML2402
