BSS138是一款N沟道增强型小信号场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于模拟和数字电路中。该器件具有低阈值电压、低导通电阻以及出色的开关性能,适合驱动负载或用作电子开关。BSS138常被用于便携式设备、电池供电系统、音频电路以及其他对功耗敏感的应用场景。
BSS138 J1可能是某种封装版本或者来自特定制造商的命名,具体参数可能与标准BSS138略有差异,但基本功能和用途一致。
最大漏源电压:50V
最大栅源电压:±20V
最大漏极电流:0.2A
阈值电压(Vth):1V~2.5V
导通电阻(Rds(on)):约6Ω(在Vgs=4.5V时)
功耗:270mW
结温范围:-55℃至+150℃
1. 低阈值电压使得BSS138非常适合低压应用环境,例如由单节锂电池供电的设备。
2. 小尺寸SOT-23封装使其成为空间受限设计的理想选择。
3. 具有良好的静电防护能力(ESD),能够承受高达2kV的人体模型测试。
4. 高速开关性能,支持高频应用。
5. 在低功耗模式下表现优异,静态电流几乎可以忽略不计。
1. 开关电源中的次级侧同步整流器。
2. 消费类电子产品中的负载开关。
3. 电池管理系统的保护开关。
4. 便携式音频设备的静音控制。
5. 数字逻辑电平转换电路。
6. 低功耗微控制器的外部驱动扩展。
BSS84, 2N7000, FDN340P