BSS138 SS 时间：2025/8/16 22:50:06 阅读：2

BSS138 是一款常用的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于低电压开关和电平转换电路中。该器件采用小型 SOT-23 封装，适合在空间受限的 PCB 设计中使用。BSS138 的设计使其能够在较低的栅极电压下工作，因此非常适合用于数字逻辑电路和低压控制应用。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 (VDS)：100 V
　　栅源电压 (VGS)：±20 V
　　漏极电流 (ID)：最大 220 mA
　　导通电阻 (RDS(on))：最大 4.5 Ω（在 VGS=10V 时）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装：SOT-23

特性

BSS138 MOSFET 具备一系列优异的电气特性，首先是其低导通电阻，在 VGS=10V 时最大为 4.5Ω，这使得它在低功耗开关应用中表现良好，能够有效减少功率损耗。其次，该器件能够在较低的栅极电压（例如 2.5V 或更高）下完全导通，因此非常适合用于由微控制器或其他低电压逻辑电路控制的场合。
　　此外，BSS138 具有较高的漏源击穿电压（100V），能够在中等电压环境下稳定工作，具备良好的抗过压能力。其 ±20V 的栅源电压容限也增强了器件在不同工作条件下的稳定性，防止因电压波动而损坏。
　　该器件采用 SOT-23 小型封装，体积小巧，便于在高密度 PCB 设计中使用。同时，其热性能良好，能够有效散发工作过程中产生的热量，确保长期稳定运行。BSS138 还具有快速开关能力，适用于需要高频切换的应用场景，如信号切换、电源管理、LED 驱动和逻辑电平转换等。
　　综上所述，BSS138 凭借其低导通电阻、宽电压范围、小封装和高可靠性，成为许多低电压、中等功率应用中的理想选择。