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BSS131 H6327 发布时间 时间:2025/7/9 3:01:32 查看 阅读:8

BSS131是一种N沟道增强型小信号场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于低功率开关和负载控制电路。它具有低导通电阻、高开关速度以及出色的温度稳定性,适用于各种消费电子、通信设备和工业控制系统。H6327可能是与BSS131相关的封装代号或衍生型号,具体需要参考制造商的详细规格书。
  BSS131在电路设计中常被用作高效电子开关,其特点是低栅极电荷和低漏源导通电阻,这些特性有助于提高能效并减少发热。此外,由于其小型化封装形式,非常适合空间受限的应用场景。

参数

最大漏源电压:50V
  最大漏极电流:-0.4A
  最大栅源电压:±20V
  漏源导通电阻:1.9Ω
  功耗:280mW
  工作温度范围:-55℃ to 150℃
  封装形式:SOT-23

特性

BSS131具有以下主要特性:
  1. 高速开关性能,适合高频应用。
  2. 极低的栅极输入电容,确保高效的驱动能力。
  3. 超低的静态功耗,适合电池供电设备。
  4. 小型化的SOT-23封装,节省PCB布局空间。
  5. 宽工作温度范围,适应多种环境条件。
  6. 热稳定性强,能够在高温环境下保持性能稳定。

应用

BSS131的典型应用领域包括:
  1. 消费类电子产品中的开关电源电路。
  2. 手机和便携式设备中的负载开关。
  3. 工业自动化系统中的信号切换模块。
  4. 数据通信接口保护电路。
  5. 电机驱动和继电器控制电路。
  6. LED驱动器和背光调节电路。

替代型号

BSS138, BS170, 2N7000

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BSS131 H6327参数

  • 数据列表BSS131
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SIPMOS®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)240V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C110mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14 欧姆 @ 100mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.8V @ 56µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs3.1nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds77pF @ 25V
  • 功率 - 最大360mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装PG-SOT23-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BSS131 H6327-NDBSS131H6327XTSA1SP000702620