BSS127V 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高频率开关应用。这款MOSFET具有低导通电阻和高速开关特性,适合用于电源管理和DC-DC转换器等应用场景。BSS127V 采用小型封装,具有较高的热稳定性和可靠性。
类型:N沟道 MOSFET
漏源电压(VDS):100V
栅源电压(VGS):20V
连续漏极电流(ID):0.27A(@25°C)
最大导通电阻(RDS(on)):3.8Ω(@VGS=10V)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:SOT-23
功率耗散(PD):300mW
BSS127V 是一款高性能的功率MOSFET,具备出色的导通和开关性能。其低导通电阻(RDS(on))有助于减少导通状态下的功率损耗,提高系统效率。该器件的高速开关能力使其适用于高频开关应用,例如DC-DC转换器、负载开关和电源管理系统。此外,BSS127V 采用SOT-23封装,体积小巧,适合在空间受限的设计中使用。
BSS127V 还具有良好的热稳定性和过热保护能力,能够在较高温度下稳定工作。其栅极驱动电压范围较宽,支持多种驱动电路设计,便于与不同的控制芯片配合使用。同时,该器件的漏极-源极击穿电压为100V,能够在较高的电压环境下可靠运行。
BSS127V 常用于需要高效能、小体积的电子系统中,例如:
? DC-DC转换器中的同步整流和开关元件
? 电源管理系统中的负载开关和隔离控制
? 电池供电设备中的功率管理电路
? 工业控制系统中的小型电机驱动和继电器替代方案
? LED照明驱动电路中的开关控制
BSS123V, BSS138, 2N7002, IRLML2402