型号：BSS127G-AE3-R
　　类型：P沟道增强型MOSFET
　　封装：SOT-23 (SC-59)
　　最大漏源电压(VDS)：-50V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：-100mA
　　脉冲漏极电流(IDM)：-400mA
　　导通电阻(RDS(on))：1.3Ω（@ VGS = -10V）
　　导通电阻(RDS(on))：1.8Ω（@ VGS = -4.5V）
　　阈值电压(VGS(th))：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容(Ciss)：13pF（@ VDS = 10V）
　　输出电容(Coss)：6pF（@ VDS = 10V）
　　反向传输电容(Crss)：0.8pF（@ VDS = 10V）
　　栅极电荷(Qg)：3nC（@ VGS = -10V）
　　功率耗散(PD)：300mW
　　工作结温(TJ)：-55°C ~ +150°C
　　存储温度(Tstg)：-55°C ~ +150°C
　　安装类型：表面贴装(SMD)
　　通道数：单通道
　　技术：Trench MOSFET
　　符合标准：RoHS, AEC-Q101

BSS127G-AE3-R采用英飞凌先进的Trench MOSFET工艺技术，实现了优异的电气性能与热稳定性。其核心优势在于低导通电阻与低阈值电压的结合，使得该器件能够在低电压控制系统中高效运行。在VGS = -10V时，RDS(on)典型值仅为1.3Ω，而在更常见的逻辑电平驱动条件如VGS = -4.5V时，仍可保持1.8Ω的低阻值，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效。
　　该器件具备快速开关能力，得益于其低输入、输出及反向传输电容（Ciss=13pF, Coss=6pF, Crss=0.8pF），减少了开关过程中的延迟与能量损耗，适用于高频开关应用。同时，较小的栅极电荷（Qg=3nC）进一步降低了驱动电路的功耗需求，使控制器更容易驱动该MOSFET，尤其适合由微控制器直接控制的场合。
　　BSS127G-AE3-R的P沟道结构使其天然适用于高边开关配置，在电源关断、负载切换和反向电流阻断等应用中表现出色。其负的阈值电压范围（-1.0V至-2.0V）确保了在未施加栅极信号时器件处于关闭状态，增强了系统的安全性与可靠性。
　　此外，该器件采用SOT-23小型封装，尺寸紧凑，便于高密度PCB布局，同时具备良好的散热性能。其额定工作结温范围宽达-55°C至+150°C，支持极端环境下的稳定运行，结合AEC-Q101汽车级认证，使其不仅适用于消费类电子产品，还可用于汽车电子模块、工业控制设备等对可靠性要求较高的领域。
　　内置的体二极管提供了反向电流路径保护功能，在某些拓扑结构中可简化外围电路设计。整体而言，BSS127G-AE3-R凭借其高性能、小尺寸和高可靠性，成为现代低功耗电源管理设计中的理想选择。

BSS127G-AE3-R广泛应用于各类需要高效、小型化P沟道MOSFET的电子系统中。其主要应用场景包括便携式电子设备中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，作为电池供电系统的负载开关或电源路径控制器，能够有效隔离不同电源域，降低待机功耗，延长电池续航时间。
　　在电池管理系统（BMS）中，该器件可用于过放电保护电路或充放电控制回路，利用其低导通电阻特性减少能量损耗，提高系统效率。同时，由于其具备良好的热稳定性和宽温工作范围，也适用于工业级传感器节点、远程监控设备等长期运行的低功耗系统。
　　在汽车电子领域，BSS127G-AE3-R凭借AEC-Q101认证，常被用于车载信息娱乐系统、车身控制模块、LED照明驱动电路以及车窗升降器控制等子系统中，执行电源开关或信号切换功能。
　　此外，该器件还适用于各类DC-DC转换器中的同步整流或高端开关应用，特别是在非隔离式降压变换器中作为上管使用，配合控制器实现高效的电压调节。其低阈值电压特性使其能够兼容3.3V或5V逻辑电平输出的微控制器或门驱动器，无需额外电平转换电路，简化了系统设计。
　　在测试测量仪器、医疗电子设备以及智能家居控制板中，BSS127G-AE3-R也被广泛用于信号通断控制、多路复用器辅助开关或继电器替代方案，提供无触点、长寿命的电子开关解决方案。

BSS127GW-E3-08,BSS127LT1G,DMG2304U,MCH3113,PMBFJ296,SI2301,FDG330N