时间：2025/5/29 14:52:43
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BSS123W是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于低电压、低功率的开关和负载驱动电路中。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合用于便携式电子设备、消费类电子产品以及电源管理应用。BSS123W采用SOT-23封装形式，能够提供出色的性能与小型化设计的结合。
BSS12电子开关或放大器使用。其工作原理基于通过栅极施加正电压来控制漏极和源极之间的导通状态，当栅极电压高于阈值电压时，MOSFET进入导通状态，允许电流从漏极流向源极；反之，则关闭电流流动。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：0.57A
功耗：340mW
导通电阻：3.5Ω
栅极电荷：4nC
开关时间：典型值ton=15ns，toff=9ns
1. 小型SOT-23封装，节省空间且易于安装。
2. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗。
3. 高开关速度，非常适合高频开关应用。
4. 高输入阻抗，栅极几乎不消耗电流。
5. 工作温度范围广，可支持-55°C至+150°C环境温度。
6. 良好的电气稳定性和可靠性，适用于各种复杂的工作条件。
1. 开关电源中的同步整流。
2. 电池供电设备中的负载开关。
3. 消费类电子产品如手机、平板电脑等的电源管理模块。
4. LED驱动电路中的开关元件。
5. 电机控制及保护电路。
6. 信号传输路径上的快速切换控制。
7. 各种便携式设备中的低功耗管理方案。
BSS123
BS123
BSS84
