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BSS123NH6327XTSA1 发布时间 时间:2024/8/23 15:07:29 查看 阅读:683

N沟道
  增强模式
  逻辑电平(额定4.5V)
  雪崩等级
  符合AEC Q101标准
  100%无铅;符合RoHS标准,无卤素

参数说明

额定功率:0.5 W
  通道数:1
  针脚数:3
  漏源极电阻2:.4Ω
  极性:N-CH
  耗散功率:0.5 W
  阈值电压:800 mV
  漏源极电压(Vds):100 V
  连续漏极电流(Ids):0.19A
  上升时间:3.2 ns
  正向电压(Max):1.1 V
  输入电容(Ciss):15.7pF 25V(Vds)
  下降时间:22 ns
  工作温度(Max):150℃
  工作温度(Min):-55℃
  耗散功率(Max):500 mW

封装参数

安装方式:Surface Mount
  引脚数:3
  封装:SOT-23-3

外形尺寸

长度:2.9 mm
  宽度:1.3 mm
  高度:1 mm
  封装:SOT-23-3

其他

产品生命周期:Active
  包装方式:Tape&Reel(TR)
  制造应用:Onboard charger

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BSS123NH6327XTSA1参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥3.42000剪切带(CT)3,000 : ¥0.63273卷带(TR)
  • 系列OptiMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)190mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)6 欧姆 @ 190mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.8V @ 13μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)0.9 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)20.9 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)500mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-SOT23
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3