时间：2025/4/24 16:08:14
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BSS123N是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于各种电子电路中。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的电流处理能力，非常适合用于开关电源、负载开关以及逻辑电平驱动等应用。其紧凑的封装形式使其成为空间受限设计的理想选择。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：0.4A
导通电阻：5欧姆
功耗：340mW
工作温度范围：-55℃至150℃
具备低导通电阻的特点，从而减少了功率损耗并提高了效率。
其高开关速度使得它非常适合高频应用环境。
此外，由于其小型化SOT-23封装，这种MOSFET可以被轻易集成到尺寸敏感的应用场景中。
还具有良好的静电防护性能，确保了在实际操作中的可靠性。
通常应用于便携式设备中的负载开关控制。
在电源管理模块中，作为高效能的开关元件。
适用于低功率DC-DC转换器、电池保护电路以及信号切换电路等场合。
也常用于各类消费类电子产品如手机、平板电脑和其他手持设备中。
BSS123, BSS84
