时间：2025/5/20 17:04:01
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BSS123N H6327是一款N沟道小信号MOSFET晶体管，通常用于低功率开关和负载驱动应用。该器件采用SOT-23封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于需要高效能和小型化的电路设计。
这款MOSFET广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域，凭借其卓越的性能和可靠性，成为许多设计工程师的理想选择。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：0.2A
脉冲漏极电流：1.2A
导通电阻：5.5Ω
总电容：18pF
开关时间：典型值25ns
BSS123N H6327具备以下显著特点：
1. 高击穿电压（40V），能够在较宽的电压范围内稳定工作。
2. 极低的导通电阻（5.5Ω），有助于减少功耗并提升效率。
3. 快速开关能力，适合高频应用环境。
4. 小型SOT-23封装，节省PCB空间。
5. 可靠的电气性能，适用于多种低功率应用场景。
6. 工作温度范围广（-55°C至+150°C），适应各种恶劣环境。
BSS123N H6327的应用领域包括但不限于：
1. 开关电源中的初级或次级开关。
2. 负载开关，用于电池供电设备的电源管理。
3. 信号切换和隔离。
4. 音频放大器中的保护电路。
5. 数据通信接口保护。
6. 各类便携式设备中的逻辑电平控制开关。
由于其高效的开关特性和紧凑的设计，它在移动设备、物联网设备和其他低功耗系统中特别受欢迎。
BSS123, BSS84, BS170
