时间：2025/7/22 11:47:36
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BSS123K是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、马达控制、DC-DC转换器以及各种低电压功率开关应用中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有较低的导通电阻（RDS(on)）和较高的效率，适用于需要高效能和小尺寸封装的设计。BSS123K的封装形式为SOT-23，适用于表面贴装技术（SMT），便于在PCB上安装。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：130mA
漏源极电压（VDS）：100V
栅源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大为4Ω（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：SOT-23
BSS123K具有多项优异的电气特性。首先，其低导通电阻确保了在导通状态下的功率损耗较小，从而提高了整体效率。其次，该器件具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。此外，BSS123K的栅极电荷较低，使得其在高频开关应用中表现优异，减少了开关损耗。
该MOSFET还具备较高的击穿电压能力，漏源极耐压高达100V，能够适应较高的电压应力。同时，其封装形式SOT-23具有较小的体积，适用于空间受限的设计场合。由于其SMT封装，BSS123K在自动化生产中易于焊接和安装，提高了生产效率。
此外，BSS123K具有良好的抗静电能力，能够在制造和使用过程中有效抵抗静电放电（ESD）的影响，从而提高器件的可靠性。
BSS123K常用于各种低功率开关应用中，如DC-DC转换器、LED驱动电路、负载开关、电源管理模块以及便携式电子设备中的功率控制电路。在工业自动化和消费电子产品中，该器件也广泛用于控制马达、继电器和其他负载设备的开关操作。
在电源管理方面，BSS123K可用于设计高效能的同步整流器或负载开关，帮助延长电池寿命并减少功耗。在通信设备中，该器件也可用于信号切换和功率调节电路。此外，在汽车电子系统中，如车载充电器或LED照明控制模块，BSS123K也能提供可靠的开关性能。
BSS123LT, BSS138K, 2N7002K
