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BSS119NH6327XTSA1 发布时间 时间:2025/7/3 13:24:16 查看 阅读:20

BSS119NH6327XTSA1是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件通常用于开关和放大应用,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于消费电子、工业控制以及电源管理领域。
  这款MOSFET采用了先进的制造工艺,确保了其高可靠性和稳定性。其小型化的封装形式使得它非常适合对空间有严格要求的设计场景。

参数

型号:BSS119NH6327XTSA1
  类型:N沟道增强型MOSFET
  工作电压(Vdss):60V
  漏极电流(Id):1.5A
  栅极电荷(Qg):8nC
  导通电阻(Rds(on)):0.4Ω
  功耗(Pd):1.3W
  结温范围:-55℃至175℃
  封装形式:SOT-23

特性

BSS119NH6327XTSA1的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),在额定条件下可以达到0.4Ω,从而减少功率损耗并提高效率。
  2. 快速的开关速度,适合高频应用环境,栅极电荷仅为8nC。
  3. 宽广的工作电压范围,最高可达60V,满足多种电路设计需求。
  4. 高温性能优良,能够在高达175℃的结温下正常工作,适用于恶劣的工作环境。
  5. 小型化封装(SOT-23),节省PCB板面积,适合紧凑型设计。

应用

该器件广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的初级和次级侧开关。
  2. 直流电机驱动与控制,如家用电器中的风扇、泵等设备。
  3. 消费类电子产品中的负载切换,例如手机充电器、笔记本适配器。
  4. 工业自动化设备中的信号隔离与传输。
  5. 各种便携式电子设备的电池管理单元。

替代型号

BSS123
  BSS138
  AO3400

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BSS119NH6327XTSA1参数

  • 现有数量67,316现货
  • 价格1 : ¥3.34000剪切带(CT)3,000 : ¥0.94071卷带(TR)
  • 系列OptiMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)190mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)6 欧姆 @ 190mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 13μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)0.6 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)20.9 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)500mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-SOT23
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3