类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（Vds）：30 V
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：1.9 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：6 A
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：35 mΩ
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：50 mΩ
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.1 V ~ 1.8 V
　　输入电容（Ciss）：370 pF @ Vds=15V
　　反向传输电容（Cres）：50 pF @ Vds=15V
　　栅极电荷（Qg）：6.5 nC @ Vgs=10V
　　开启延迟时间（td(on)）：8 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：18 ns
　　上升时间（tr）：9 ns
　　下降时间（tf）：6 ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装：PG-SOT323-3 (SOT-323)
　　安装类型：表面贴装

BSR43QTA采用了英飞凌成熟的Trenchstop沟槽型MOSFET工艺技术，这种结构通过优化垂直电场分布，显著降低了导通电阻与开关损耗之间的权衡关系，从而在保持高击穿电压的同时实现了极低的Rds(on)值。该器件在Vgs=10V时典型导通电阻仅为35mΩ，在同类SOT-323封装产品中具有较强的竞争力，有助于减少功率损耗并提升系统效率。其阈值电压范围为1.1V至1.8V，支持低电压逻辑信号直接驱动，兼容3.3V或1.8V微控制器输出，无需额外的电平转换电路，简化了设计复杂度。
　　该MOSFET具备出色的开关速度，开启延迟时间为8ns，关断延迟时间为18ns，配合仅9ns的上升时间和6ns的下降时间，使其非常适合用于高频PWM调光、DC-DC转换器以及同步整流等需要快速响应的应用场景。输入电容Ciss为370pF，反向传输电容Cres为50pF，在保证良好开关性能的同时有效抑制了米勒效应引起的误触发风险。栅极电荷Qg仅为6.5nC（@10V），进一步降低了驱动功耗，提升了整体能效表现。
　　BSR43QTA还具备良好的热稳定性，其最大工作结温可达+150°C，并内置了热保护机制，在过载或短路情况下可防止永久性损坏。器件经过严格的质量认证，符合AEC-Q101可靠性标准，确保在恶劣环境下的长期稳定运行。此外，SOT-323封装不仅体积小巧（约2.8 x 1.7 mm），而且引脚间距适中，便于自动化贴片生产，同时具备一定的散热能力，可通过PCB布局进行有效热管理。综合来看，BSR43QTA是一款集高性能、小尺寸与高可靠性于一体的先进功率开关器件。

BSR43QTA广泛应用于各类需要小型化、高效率开关功能的电子系统中。在便携式消费类电子产品中，常用于锂电池供电系统的电源路径管理，如智能手表、蓝牙耳机、移动电源等设备中的充放电控制开关。其低导通电阻和小封装特性使其成为理想的选择，能够最大限度地延长电池续航时间。
　　在工业与家电领域，该器件可用于小型直流电机驱动、电磁阀控制、继电器替代以及LED照明调光电路中，特别是在空间受限的小型传感器模块或无线通信节点中发挥重要作用。此外，它也适用于各类DC-DC降压或升压转换器中的同步整流环节，提高电源转换效率，降低发热。
　　在计算机外围设备中，BSR43QTA可用于USB端口的过流保护与负载开关控制，实现即插即用的安全供电管理。其快速开关能力和良好的瞬态响应特性，使其能够有效应对突发电流变化，保护后级电路免受冲击。
　　在汽车电子方面，尽管该器件未明确标注为车规级，但部分非关键车载应用如车内照明控制、电动座椅调节、传感器供电开关等也可采用BSR43QTA，前提是满足相应的环境与可靠性要求。总体而言，BSR43QTA凭借其优异的电气性能和紧凑封装，已成为现代电子设计中不可或缺的功率开关元件之一。

BSS138K, BSR42QTA, FDS6680A, DMG2302U