时间：2025/9/14 22:58:46
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BSR14,215 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等领域。该器件采用 LFPAK56 封装形式，具备优良的热性能和电气性能，适用于高效率和高密度的电源设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：80A（在Tc=25°C时）
功耗（Ptot）：90W
导通电阻（Rds(on)）：最大值为 1.4mΩ（在Vgs=10V时）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：LFPAK56
BSR14,215 具备多项优异特性，包括极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低导通损耗，提高系统效率。其高电流承载能力（80A）使其适用于高功率应用场景，如电源转换器和电机驱动器。LFPAK56 封装提供了良好的热管理性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定的运行温度。此外，该 MOSFET 具备高耐压能力（30V Vds），可在多种电源拓扑结构中可靠工作。其栅极驱动电压范围为 ±20V，兼容多种常见的驱动电路设计，便于集成到各种应用中。器件还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性，提升了系统在异常工况下的可靠性。
BSR14,215 主要应用于高效电源管理系统、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机控制和电池管理系统等领域。由于其高电流能力和低导通电阻，该器件特别适合用于需要高效率和高可靠性的工业电源、汽车电子系统以及便携式设备中的功率控制模块。
BSR14,215 可以考虑替代型号如 BSC080N03LS、BSC090N03MS 和 BSR14,212。
