时间：2025/7/15 20:54:29
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BSPMA3600WYGR 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌）生产的功率 MOSFET 器件，采用先进的屏蔽栅极技术，具有较低的导通电阻和开关损耗。该器件广泛应用于电源转换器、DC-DC 转换器、负载开关以及工业控制等领域。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：300 V
最大连续漏极电流(Id)：28 A @ TC=100°C
导通电阻(Rds(on))：约 47 mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷(Qg)：56 nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：PG-TDSON
BSPMA3600WYGR 具备多项优异特性。其低导通电阻 Rds(on) 显著减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。同时，它采用了屏蔽栅极设计，有效降低了高频开关应用中的寄生电容，从而减少开关损耗并提高开关速度。
此外，该 MOSFET 的额定漏极电流高达 28A，在高温环境下仍能保持稳定性能。其封装形式 PG-TDSON 提供了良好的热管理能力，使得器件在高负载条件下也能维持较低的工作温度。
该器件还具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了在突变负载或异常情况下的可靠性与稳定性。这些特性共同确保 BSPMA3600WYGR 在各种高要求的应用中提供可靠、高效的性能。
BSPMA3600WYGR 主要用于各类高效电力电子系统中，包括 DC-DC 升压/降压转换器、服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）以及电动工具等应用场景。
其出色的电气特性和热管理能力使其特别适用于需要高效率、高稳定性和紧凑设计的现代电源管理系统。例如，在通信设备的电源模块中，它可以作为主开关元件使用；在太阳能逆变器中，可用于实现高效的直流到交流转换；在电动车充电系统中，则可用来优化充放电过程中的能量利用率。
IPB036N10N3 G, IPP036N10N3 G
