时间：2025/7/15 18:57:08
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BSPM2240S3G 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）制造的N沟道功率MOSFET，采用先进的Trench沟槽技术，具有低导通电阻和高效率的特性。该器件广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和电源管理等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：4.1A
导通电阻（RDS(on)）：34mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOT-23-6
BSPM2240S3G功率MOSFET采用了先进的Trench沟槽技术，使其在低电压应用中表现出色。其导通电阻仅为34毫欧姆，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件的最大漏极电流可达4.1A，适用于中等功率的电源转换和负载开关应用。
此外，BSPM2240S3G具有较宽的栅极电压容限，支持±12V的栅源电压，提高了驱动电路设计的灵活性。其SOT-23-6封装形式不仅体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用，同时具备良好的热性能，确保在较高温度下仍能稳定运行。
该MOSFET的热阻（RθJA）约为200°C/W，表明其在散热方面有一定的限制，因此在高功率应用中需要合理设计散热方案。此外，其工作温度范围为-55°C至150°C，适应各种恶劣工作环境。
BSPM2240S3G适用于多种电源管理应用，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统。由于其低导通电阻和小封装特点，常用于便携式设备、工业控制系统、汽车电子和智能电源模块中。此外，该器件也可用于电源管理IC（PMIC）中的功率开关，以提高整体能效和系统稳定性。
BSPM2240S3G的替代型号包括AO3400A、IRML2802、Si2302DS和FDMC6679CZ。
