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BSP88 发布时间 时间:2025/8/2 8:41:51 查看 阅读:29

BSP88 是一款广泛应用于功率开关和放大电路中的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件以其高开关速度、低导通电阻以及良好的热稳定性而受到工程师的青睐。由于其优异的电气特性和坚固的封装设计,BSP88 常用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制以及各种需要高效能功率开关的场合。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  漏源电压(VDS):30V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):10A
  功耗(PD):30W
  导通电阻(RDS(on)):约 0.045Ω(在 VGS=10V)
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

BSP88 MOSFET 具有多个显著的电气和物理特性,使其在功率电子设计中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))确保了在大电流条件下能够保持较低的功率损耗,从而提高整体系统效率。其次,该器件的高栅极电压容限(±20V)使其在各种驱动条件下都能保持稳定运行,减少因栅极电压波动而导致的故障风险。
  此外,BSP88 的高连续漏极电流能力(10A)和良好的热管理特性,使其能够在高负载应用中可靠运行,而不易受到热失效的影响。其 TO-220 封装形式提供了良好的散热性能,适用于高功率密度设计。
  在开关性能方面,BSP88 具有较快的开关速度,能够支持高频操作,这在开关电源(SMPS)、PWM 控制和电机驱动等应用中尤为重要。同时,其内在的体二极管也具备良好的反向恢复特性,有助于减少开关损耗并提升系统稳定性。

应用

BSP88 MOSFET 广泛应用于多个领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS):作为主开关或同步整流器使用,提高电源效率。
  2. DC-DC 转换器:在升降压电路中作为功率开关,实现高效的电压调节。
  3. 电机控制:用于 H 桥电路中,实现直流电机或步进电机的正反转及调速控制。
  4. 负载开关:在电池管理系统或电源管理单元中作为负载开关,实现快速断电保护。
  5. 照明系统:在 LED 驱动电路中用于调光控制或恒流调节。
  6. 工业自动化:在 PLC 或工业控制器中作为功率输出级,控制执行机构如继电器、电磁阀等。

替代型号

IRF540, FDPF5N50, STP55NF06, IRLZ44N

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BSP88参数

  • 典型关断延迟时间17.9 ns
  • 典型接通延迟时间3.6 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs4.5 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds76 pF V @ 25
  • 安装类型表面贴装
  • 宽度3.5mm
  • 封装类型SOT-223
  • 尺寸6.5 x 3.5 x 1.6mm
  • 引脚数目4
  • 最低工作温度-55 °C
  • 最大功率耗散1800 mW
  • 最大栅源电压±20 V
  • 最大漏源电压240 V
  • 最大漏源电阻值6
  • 最大连续漏极电流0.35 A
  • 最高工作温度+150 °C
  • 每片芯片元件数目1
  • 类别小信号
  • 通道模式增强
  • 通道类型N
  • 配置双漏极、单
  • 长度6.5mm
  • 高度1.6mm