时间：2025/5/8 16:25:02
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BSP772TXUMA1是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于各种功率转换和开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度以及优异的热性能。其小型化的封装形式使其非常适合空间受限的设计场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：4.5A
导通电阻：80mΩ
栅极电荷：3.8nC
总电容：19pF
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装形式：SOT-23
BSP772TXUMA1具备卓越的电气性能，包括低导通电阻以减少功率损耗，同时具有快速开关能力，可有效降低开关损耗。此外，该器件采用了SOT-23的小型封装，适合紧凑型设计。它还拥有较宽的工作温度范围，能够适应恶劣环境下的运行需求。在实际应用中，这款MOSFET可以提供高效的功率转换，同时保持较高的可靠性。
主要特点：
- 极低的导通电阻确保高效能
- 快速开关特性优化高频应用
- 高温稳定性保证可靠运行
- 小尺寸封装节省电路板空间
BSP772TXUMA1广泛应用于多种领域，包括但不限于电源管理、电池保护电路、负载开关、DC-DC转换器、LED驱动器以及消费类电子产品的功率控制等。其紧凑的封装和出色的电气性能使其成为移动设备、物联网终端以及其他便携式电子产品中的理想选择。
BSP772P3LSG
BSP772P3E
BSS138
