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BSP52 发布时间 时间:2025/5/15 15:12:35 查看 阅读:6

BSP52是一款N沟道功率MOSFET,采用TO-252封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,广泛应用于各种电力电子设备中,例如开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等。其设计旨在提供高效的功率转换,并支持高频操作,以满足现代电子系统对紧凑性和能效的要求。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:13A
  导通电阻:25mΩ
  栅极电荷:7nC
  开关频率:高达500kHz
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

BSP52的主要特性包括以下几点:
  1. 低导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为25mΩ,从而减少了导通损耗。
  2. 高效率的开关性能,得益于快速的开关速度和低栅极电荷。
  3. 强大的散热能力,能够承受较高的结温,确保了器件在高温环境下的稳定性。
  4. 小型化封装设计(TO-252),节省PCB空间,适合紧凑型应用。
  5. 提供优异的热稳定性和电气性能,适用于高可靠性要求的工业及消费类电子领域。

应用

BSP52适用于以下应用场景:
  1. 开关电源中的功率开关。
  2. DC-DC转换器的核心元件,用于高效能量转换。
  3. 各种类型的电机驱动电路,如步进电机和无刷直流电机驱动。
  4. 负载切换和保护电路,例如电池管理系统中的负载开关。
  5. 工业自动化控制设备中的功率调节和信号处理模块。

替代型号

BSP296, IRFZ44N, FDP140AN

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BSP52参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)800mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)80V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1.3V @ 500µA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)10µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)2000 @ 500mA,10V
  • 功率 - 最大1W
  • 频率 - 转换-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223-3
  • 包装带卷 (TR)