BSP51,115 时间：2025/9/14 22:58:23 阅读：9

BSP51,115 是一款由 NXP（恩智浦）半导体公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于中高功率的开关应用。这款 MOSFET 设计用于在较高电压和电流条件下提供高效的开关性能，适用于如电源管理、DC-DC 转换器、马达控制和电池供电设备等应用场景。BSP51,115 采用标准的 TO-220 封装形式，确保良好的散热性能，适合需要高可靠性和高效率的电子系统。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100 V
　　漏极电流（ID）：2 A
　　导通电阻（RDS(on)）：约 3.5 Ω（在 VGS=10V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1V 至 2.5V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220

特性

BSP51,115 MOSFET 的主要特性包括其能够在较高电压下稳定工作的能力，适用于广泛的电源管理应用。其导通电阻较低，在 VGS=10V 条件下约为 3.5Ω，这使得在导通状态下的功率损耗较低，从而提高了整体效率。此外，该器件的栅极阈值电压范围为 1V 至 2.5V，使其能够兼容常见的逻辑电平驱动电路，例如微控制器或 PWM 控制器。TO-220 封装提供了良好的热管理能力，有助于在较高负载下维持稳定的运行温度。该 MOSFET 还具备较高的抗静电能力（ESD）和较好的耐用性，适用于工业和消费类电子设备。
　　此外，BSP51,115 具有较快的开关速度，适用于高频开关应用。其开关损耗较低，有助于提高系统效率并减少热量产生。此外，该器件的结构设计优化了其在高温环境下的稳定性，确保在恶劣条件下仍能保持可靠运行。

应用

BSP51,115 主要用于各种中功率电子设备中，例如 DC-DC 升压或降压转换器、电源管理系统、马达控制电路、LED 驱动器以及电池充电电路。此外，它也广泛应用于家用电器、汽车电子系统、工业自动化控制设备以及便携式电子设备的电源管理模块。由于其良好的导通性能和热稳定性，BSP51,115 特别适合需要在较高电压和电流条件下进行高效开关控制的应用场景。