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BSP296 发布时间 时间:2025/12/24 14:15:06 查看 阅读:16

BSP296 是一款 N 沘道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等高效率电子电路中。该器件采用 TO-252 封装,具备低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力等特点,适合于需要高效能和小体积设计的应用场景。
  BSP296 的主要特点是其低导通电阻和良好的热性能。这使得它在高频开关应用中表现出色,同时减少了功耗和发热问题。此外,该器件的高雪崩击穿能力和强鲁棒性确保了其在恶劣环境下的可靠运行。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:11A
  导通电阻:45mΩ(典型值)
  栅极电荷:8nC(典型值)
  输入电容:1350pF(典型值)
  开关时间:ton=14ns,toff=30ns(典型值)
  结温范围:-55°C 至 +150°C

特性

1. 高效低导通电阻:
  BSP296 提供了仅为 45mΩ 的典型导通电阻,这一特性使其非常适合低损耗的功率转换应用。
  2. 快速开关性能:
  其开关时间为纳秒级别(开启时间 14ns,关断时间 30ns),保证了在高频工作条件下也能保持高效率。
  3. 高电流能力:
  BSP296 可以承受高达 11A 的连续漏极电流,适用于多种大电流负载的应用。
  4. 良好的热稳定性:
  由于采用了高效的散热封装技术,BSP296 在高温环境下仍然能够稳定运行,支持最高结温为 +150°C。
  5. 雪崩击穿能力:
  BSP296 具备较强的雪崩击穿能力,能够在过载或短路情况下提供额外保护,从而提高了系统的整体可靠性。

应用

1. 开关电源(SMPS):
  BSP296 常用于开关模式电源的设计中,尤其是在同步整流和降压转换器中,以实现高效的能量转换。
  2. 电机驱动:
  在无刷直流电机(BLDC)和其他类型电机驱动应用中,BSP296 的快速开关特性和低导通电阻可显著提高效率并降低能耗。
  3. DC-DC 转换器:
  BSP296 的高频率开关能力使其成为 DC-DC 转换器的理想选择,适用于便携式设备和汽车电子系统。
  4. 电池管理系统(BMS):
  在电动汽车和储能系统的电池管理中,BSP296 被用作功率开关以控制充放电过程。
  5. 照明系统:
  LED 照明驱动电路中也常用 BSP296 来实现高效的功率调节和亮度控制。

替代型号

1. IRFZ44N:
  IRFZ44N 是另一款常见的 N 沆道功率 MOSFET,具有类似的额定电压(55V)和导通电阻(47mΩ),可以作为 BSP296 的替代品。
  2. FDP5800:
  F低导通电阻的 MOSFET(20mΩ),虽然其封装不同(SO-8),但在某些应用中也可以替换 BSP296。
  3. STP11NF06L:
  STP11NF06L 是 STMicroelectronics 推出的一款增强型 N 沓道 MOSFET,具有 60V 的耐压等级和 40mΩ 的导通电阻,与 BSP296 性能接近。
  注意:在选择替代型号时,请务必验证其具体参数是否完全满足实际应用需求,并考虑 PCB 布局及封装兼容性。

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BSP296参数

  • 典型关断延迟时间37.4 ns
  • 典型接通延迟时间5.2 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs13.8 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds291 pF V @ 25
  • 安装类型表面贴装
  • 宽度3.5mm
  • 封装类型SOT-223
  • 尺寸6.5 x 3.5 x 1.6mm
  • 引脚数目4
  • 最低工作温度-55 °C
  • 最大功率耗散1.79 W
  • 最大栅源电压±20 V
  • 最大漏源电压100 V
  • 最大漏源电阻值0.7
  • 最大连续漏极电流1.1 A
  • 最高工作温度+150 °C
  • 每片芯片元件数目1
  • 类别小信号
  • 通道模式增强
  • 通道类型N
  • 配置双漏极、单
  • 长度6.5mm
  • 高度1.6mm