时间：2025/9/15 1:14:07
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BSP250,115是一款由Nexperia（原Philips Semiconductors）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的Trench MOSFET技术，具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适用于多种电源转换和控制场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：250V
最大漏极电流（Id）：0.5A（25°C时）
导通电阻（Rds(on)）：3.5Ω（最大值，Vgs=10V）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：1V至3V
最大功率耗散（Ptot）：300mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-92
BSP250,115具有多项优异性能，包括低导通电阻，可减少导通损耗，提高系统效率。其栅极阈值电压较低，便于与标准逻辑电平驱动电路兼容。此外，该器件具有良好的热稳定性和过载保护能力，可在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。其采用TO-92封装，体积小巧，适用于高密度PCB布局。BSP250,115还具有较高的耐压能力，适用于中高压开关应用。
BSP250,115适用于多种低功率开关电路，如LED驱动、继电器驱动、小型电机控制和电源管理模块。在消费类电子产品中，常用于DC-DC转换器、电池充电电路以及负载开关控制。此外，该器件也适用于工业自动化设备、传感器接口电路以及家用电器中的电源控制部分。
BUZ105S, 2N7002K, BSS138
