BSP171PH6327 是一种 N 沟道逻辑增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,非常适合用于需要高效功率转换和开关的应用场景。其封装形式为 SOT-23,能够节省电路板空间,同时具备出色的热性能。
BSP171 系列的典型应用包括负载开关、DC-DC 转换器、电池保护电路以及各种消费类电子产品的电源管理部分。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:2.9A
导通电阻:150mΩ
总功耗:410mW
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装类型:SOT-23
BSP171PH6327 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻,有助于降低功耗并提高效率。
2. 快速开关速度,适合高频应用。
3. 小型封装设计,节省 PCB 面积。
4. 高静电放电(ESD)防护能力,增强了可靠性。
5. 工作温度范围宽广,适应多种环境条件。
6. 符合 RoHS 标准,环保且易于焊接。
这些特性使 BSP171 成为便携式设备和其他紧凑型电子产品中的理想选择。
BSP171PH6327 广泛应用于以下领域:
1. 手机和平板电脑中的负载开关。
2. 电池供电设备的电源管理。
3. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
4. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
5. LED 驱动电路中的开关元件。
6. 各种工业和消费类电子产品的信号切换。
由于其高性能和小尺寸,该器件在现代电子产品设计中非常受欢迎。
BSP170, BSS138, FDN340P