BSP126是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高效开关和低导通损耗的场景。这款器件采用TO-252/DPAK封装,具有较高的电流处理能力和较低的导通电阻,能够有效降低功耗并提高系统效率。
BSP126的特点是其出色的电气性能和可靠性,适用于多种工业和消费类电子应用。该器件的工作电压范围较广,同时具备快速开关特性和较低的栅极电荷,使其非常适合高频开关应用。
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):6.7A
导通电阻(Rds(on)):0.13Ω (典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷(Qg):4nC
总电容(Ciss):190pF
开关频率:支持高达500kHz的应用
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
1. 高效的开关性能,适合高频应用。
2. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗。
3. 快速开关速度,能够显著降低开关损耗。
4. 较高的雪崩击穿能量能力,增强了器件的鲁棒性。
5. 小巧的DPAK封装形式,便于在紧凑设计中使用。
6. 宽泛的工作温度范围,确保在极端环境下的稳定性。
7. 符合RoHS标准,环保无铅工艺制造。
1. 开关电源中的同步整流器。
2. DC-DC转换器中的开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 负载开关用于便携式设备。
5. 各种保护电路,如过流保护和短路保护。
6. 工业自动化和家用电器中的功率管理模块。
7. LED驱动器和其他低压功率应用。
BSS126, IRF530, BUZ73