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BSP126 发布时间 时间:2025/7/8 22:20:30 查看 阅读:11

BSP126是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高效开关和低导通损耗的场景。这款器件采用TO-252/DPAK封装,具有较高的电流处理能力和较低的导通电阻,能够有效降低功耗并提高系统效率。
  BSP126的特点是其出色的电气性能和可靠性,适用于多种工业和消费类电子应用。该器件的工作电压范围较广,同时具备快速开关特性和较低的栅极电荷,使其非常适合高频开关应用。

参数

最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大漏极电流(Id):6.7A
  导通电阻(Rds(on)):0.13Ω (典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷(Qg):4nC
  总电容(Ciss):190pF
  开关频率:支持高达500kHz的应用
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

1. 高效的开关性能,适合高频应用。
  2. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗。
  3. 快速开关速度,能够显著降低开关损耗。
  4. 较高的雪崩击穿能量能力,增强了器件的鲁棒性。
  5. 小巧的DPAK封装形式,便于在紧凑设计中使用。
  6. 宽泛的工作温度范围,确保在极端环境下的稳定性。
  7. 符合RoHS标准,环保无铅工艺制造。

应用

1. 开关电源中的同步整流器。
  2. DC-DC转换器中的开关元件。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 负载开关用于便携式设备。
  5. 各种保护电路,如过流保护和短路保护。
  6. 工业自动化和家用电器中的功率管理模块。
  7. LED驱动器和其他低压功率应用。

替代型号

BSS126, IRF530, BUZ73

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BSP126参数

  • 典型关断延迟时间47 ns
  • 典型接通延迟时间6 ns
  • 典型输入电容值@Vds100 pF V @ 25
  • 安装类型表面贴装
  • 宽度3.7mm
  • 封装类型SOT-223
  • 尺寸6.7 x 3.7 x 1.8mm
  • 引脚数目4
  • 最大功率耗散1.5 W
  • 最大栅源电压±20 V
  • 最大漏源电压250 V
  • 最大漏源电阻值7.5
  • 最大连续漏极电流0.375 A
  • 最高工作温度+150 °C
  • 每片芯片元件数目1
  • 类别开关
  • 通道模式增强
  • 通道类型N
  • 配置双漏极、单
  • 长度6.7mm
  • 高度1.8mm