时间：2025/6/17 8:17:00
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BSP125H6327 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，适用于高频开关应用。该器件具有极低的导通电阻和快速开关速度，能够显著提高电源转换效率并减少系统体积。
这款 GaN 器件采用增强型设计，支持标准 MOSFET 驱动条件，简化了其在现有电路中的应用。此外，它具备高耐压能力和出色的热性能，非常适合要求严苛的工业及消费电子领域。
类型：功率晶体管
材料：氮化镓（GaN）
额定电压：650V
额定电流：125A
导通电阻：12mΩ
栅极电荷：45nC
反向恢复时间：无（由于 GaN 的特性）
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
BSP125H6327 提供了非常低的导通电阻（仅 12 毫欧姆），这有助于大幅降低传导损耗，特别是在大电流应用场景下。
GaN 技术赋予了 BSP125H6327 快速的开关速度和更高的效率，从而减少了磁性元件的尺寸，使整体解决方案更加紧凑。
该产品还具有优异的热稳定性和鲁棒性，确保在极端环境条件下仍能保持高性能运行。
另外，由于没有体二极管效应，反向恢复损耗几乎为零，进一步优化了系统效率。
BSP125H6327 广泛应用于各种高频功率转换场景，包括但不限于：
1. 服务器和通信设备的电源模块
2. 工业电机驱动器
3. 太阳能逆变器
4. 电动汽车充电基础设施
5. 高效 DC-DC 转换器
6. 消费类快充适配器
其高效率、小体积的特点使其成为这些领域的理想选择。
BSP100H650P,
BSC125H650E,
GS66508T
