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BSP123 发布时间 时间:2025/7/9 23:38:22 查看 阅读:6

BSP123是一种N沟道增强型MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),广泛应用于功率转换、电机驱动和负载开关等电路中。该器件具有低导通电阻、快速开关特性和良好的热稳定性,适合于高效率的电源管理应用。
  其封装形式通常为TO-220或TO-252,具体取决于制造商的设计需求。BSP123因其优异的性能和可靠性,成为众多电子设计中的理想选择。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:10A
  导通电阻:0.18Ω
  总功耗:75W
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

BSP123的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻,能够有效减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 快速的开关速度,支持高频操作,非常适合开关电源和其他高频应用。
  3. 高度稳定的电气性能,在宽温度范围内保持一致的表现。
  4. 内置反向二极管,可防止反向电流损坏器件。
  5. 小尺寸封装选项,便于在空间受限的应用中使用。
  6. 符合RoHS标准,环保且无铅。

应用

BSP123适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. 直流-直流(DC-DC)转换器中的功率开关。
  3. 电池管理系统中的负载开关。
  4. 各种类型的电机驱动电路。
  5. 保护电路中的过流保护和短路保护。
  6. 照明系统的调光控制和LED驱动器。
  7. 其他需要高效功率控制和快速响应的场合。

替代型号

IRF540N
  STP10NK60Z
  FQP10N60C

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