类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流 (ID)：115 A（在 Tc=25°C 时）
　　最大漏源电压 (VDS)：30 V
　　最大栅源电压 (VGS)：±20 V
　　导通电阻 (RDS(on))：最大 2.3 mΩ（在 VGS=10 V 时）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：PG-TDSON（表面贴装）

BSP00YE 具有多个显著特性，使其在汽车电子和工业应用中表现出色。首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）有助于减少导通损耗，提高系统效率，同时允许使用更小的散热器，从而减小整体设计尺寸。其次，该器件采用了先进的沟槽技术，提供了更高的电流密度和更好的热稳定性。此外，BSP00YE 设计上具有较高的短路耐受能力，使其在高应力工作环境下依然保持可靠运行。该器件还具有较高的抗雪崩能力，确保在突发负载条件下不会轻易损坏。最后，其 PG-TDSON 封装形式提供了良好的热传导性能，使得在高功率操作时仍能维持较低的温度上升，从而提高系统的长期稳定性。
　　 BSP00YE 还符合 AEC-Q100 汽车电子标准，适用于各类汽车应用，如电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统（BMS）和 DC-DC 转换器。它的高可靠性、优异的热管理和坚固的封装结构使其成为严苛环境下的理想选择。

BSP00YE 主要应用于汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）、起停系统、电池管理系统（BMS）和车载充电器（OBC）。此外，它也适用于工业控制领域，如伺服电机驱动器、DC-DC 转换器、电源管理系统以及高电流负载开关。由于其出色的导通性能和热管理能力，BSP00YE 还可用于高性能电源供应器、不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等高功率应用中。其高可靠性也使其在需要长期稳定运行的工业设备中得到广泛应用。

BSC010N03MS、BSC022N03MS、IRF6715、BSP090YE