时间：2025/6/4 18:28:38
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BSO615NG是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。该器件采用TO-220封装形式，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：15A
导通电阻：0.018Ω
栅极电荷：43nC
开关速度：典型值7ns
功耗：114W
BSO615NG的主要特性包括：
1. 超低导通电阻，有助于减少发热并提高效率。
2. 高速开关性能，适用于高频应用场合。
3. 较高的雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐受性。
4. 符合RoHS标准，环保且适合现代电子产品的使用需求。
5. TO-220封装便于散热设计，适合大功率应用场景。
该MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 各类电机驱动电路中作为功率开关。
3. DC-DC转换器中的功率开关元件。
4. 电池保护电路及负载切换开关。
5. 其他需要高性能功率开关的应用场景。
IRFZ44N
STP16NF06L
FDP17N6S
IXTH15N50L2
