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BSO615NG 发布时间 时间:2025/6/4 18:28:38 查看 阅读:6

BSO615NG是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。该器件采用TO-220封装形式,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,能够有效降低功率损耗并提升系统效率。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻:0.018Ω
  栅极电荷:43nC
  开关速度:典型值7ns
  功耗:114W

特性

BSO615NG的主要特性包括:
  1. 超低导通电阻,有助于减少发热并提高效率。
  2. 高速开关性能,适用于高频应用场合。
  3. 较高的雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的耐受性。
  4. 符合RoHS标准,环保且适合现代电子产品的使用需求。
  5. TO-220封装便于散热设计,适合大功率应用场景。

应用

该MOSFET广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 各类电机驱动电路中作为功率开关。
  3. DC-DC转换器中的功率开关元件。
  4. 电池保护电路及负载切换开关。
  5. 其他需要高性能功率开关的应用场景。

替代型号

IRFZ44N
  STP16NF06L
  FDP17N6S
  IXTH15N50L2

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