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BSO613SPVG 发布时间 时间:2025/7/12 16:42:18 查看 阅读:7

BSO613SPVG 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用先进的半导体制造工艺设计。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种需要高效能、低损耗的电源管理和电机驱动应用。它通常被用作开关元件或放大器,在汽车电子、工业控制以及消费类电子产品中有着广泛的应用。

参数

型号:BSO613SPVG
  类型:N 沟道 MOSFET
  Vds(最大漏源电压):60V
  Rds(on)(导通电阻,典型值):1.3mΩ
  Id(连续漏极电流):140A
  Vgs(栅源电压):-15V to +15V
  封装形式:DPAK (TO-263)
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

BSO613SPVG 的主要特性包括超低的导通电阻,这使得其在高电流同时,该器件还具备快速的开关性能,能够在高频工作条件下保持高效运作。
  此外,其坚固的设计确保了在恶劣环境下的可靠性,例如高温或高振动场景。为了提高系统稳定性,BSO613SPVG 还集成了反向恢复二极管功能,从而减少了寄生效应的影响。
  由于采用了 DPAK 封装,这款 MOSFET 具有良好的散热性能,适合大功率应用。整体来看,BSO613SPVG 是一款高性能、高可靠性的功率 MOSFET,特别适合要求严格的工业及汽车领域。

应用

BSO613SPVG 可应用于多种场合,包括但不限于直流无刷电机驱动、开关电源、负载切换电路、LED 驱动器以及电池管理系统等。在汽车电子领域,它可以用于启动停止系统、电动助力转向系统和车载充电器等。此外,该器件也常出现在工业设备中的变频器和逆变器中,以提供高效的功率转换能力。

替代型号

BSZ06120C, BSC0612NS

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