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BSO4420 发布时间 时间:2025/7/12 16:41:07 查看 阅读:12

BSO4420是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等领域。它具有低导通电阻、快速开关速度和高效率的特点,适合在高频应用中使用。
  该器件采用SOT-23封装,体积小,易于安装和集成到各种电路设计中。BSO4420的工作电压范围较宽,能够承受较高的漏源极电压,同时具备良好的热稳定性和可靠性。

参数

最大漏源极电压:40V
  最大栅源极电压:±10V
  连续漏极电流:2.8A
  导通电阻(Rds(on)):75mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗:460mW
  结温范围:-55℃至+150℃

特性

1. 高速开关性能,适用于高频电路设计。
  2. 超低导通电阻,有助于降低功率损耗并提高效率。
  3. 小型SOT-23封装,节省PCB空间。
  4. 宽工作电压范围,支持多种应用场景。
  5. 热稳定性强,能够在恶劣环境下可靠运行。
  6. 栅极电荷较低,便于驱动电路设计。

应用

1. 开关电源中的同步整流器。
  2. DC-DC转换器的开关元件。
  3. 电池保护电路中的负载开关。
  4. 电机驱动和控制电路。
  5. LED驱动电路中的电流调节元件。
  6. 各种便携式电子设备中的功率管理模块。

替代型号

AO3400
  IRLML6402
  FDMQ8208

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BSO4420参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列OptiMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)13A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)7.8 毫欧 @ 13A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 80μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)33.7 nC @ 5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2213 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.5W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-DSO-8
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)