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BSO301SP 发布时间 时间:2025/6/26 19:43:46 查看 阅读:4

BSO301SP 是一款基于 N 沣道技术的单通道功率 MOSFET,采用超薄 SOT23 封装。该器件具有极低的导通电阻和高开关速度,非常适合应用于便携式设备、消费类电子产品以及需要高效能转换的电路中。其优异的热性能和小型化封装设计使其成为对空间要求严格的电路的理想选择。
  BSO301SP 主要用于负载开关、DC-DC 转换器、电池保护电路等场景。

参数

型号:BSO301SP
  类型:N沟道 MOSFET
  封装:SOT23
  Vds(漏源极电压):30V
  Rds(on)(导通电阻,典型值):45 mΩ
  Id(连续漏极电流):1.8A
  Vgs(th)(栅极阈值电压):1.2V~2.4V
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  栅极电荷:9 nC

特性

BSO301SP 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保在高电流应用中减少功耗并提升效率。
  2. 高速开关能力,支持高频开关电源设计。
  3. 小型化的 SOT23 封装,节省印刷电路板上的空间。
  4. 支持宽范围的工作电压,满足多种应用场景的需求。
  5. 具备良好的热稳定性和可靠性,适用于各种恶劣环境。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子系统中。

应用

BSO301SP 广泛应用于以下领域:
  1. 消费类电子产品的负载开关。
  2. 便携式设备中的电池保护电路。
  3. DC-DC 转换器中的功率开关。
  4. LED 驱动器中的开关元件。
  5. 通信设备中的信号切换。
  6. 各种工业控制应用中的电源管理电路。

替代型号

AO3400A, IRLML6402, FDN340P

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BSO301SP参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8 毫欧 @ 14.9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs136nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5890pF @ 25V
  • 功率 - 最大1.79W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装PG-DSO-8
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BSO301SPTBSO301SPXTINTRSP000012583