时间：2025/6/28 11:11:12
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BSO130P03S是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于功率转换和开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度的特点。其封装形式为SOT-23，适合表面贴装技术（SMT）应用，广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制领域。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±12V
连续漏极电流：1.5A
导通电阻：130mΩ
总功耗：420mW
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：SOT-23
BSO130P03S具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高效率。
2. 高速开关性能，能够适应高频电路需求。
3. 小型化SOT-23封装设计，节省PCB空间。
4. 优秀的热稳定性，能够在宽温度范围内可靠运行。
5. 内置ESD保护，增强了器件的抗静电能力。
6. 符合RoHS标准，环保且无铅。
该MOSFET适用于多种场景，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC转换器的功率开关。
3. 负载开关和电池管理。
4. 电机驱动和信号切换。
5. 各类便携式电子设备的电源管理模块。
AO3400A
IRLML6401
FDS6670A
