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BSO110N03MS G 发布时间 时间:2025/4/30 17:48:22 查看 阅读:4

BSO110N03MS G 是一款基于硅材料的 N 沃特型功率场效应晶体管 (MOSFET),主要应用于高效率、低功耗的开关电路中。该器件具有较低的导通电阻和快速开关特性,适合于各种直流-直流转换器、电源管理模块以及电机驱动等应用场合。
  该型号中的“BSO”代表制造商的品牌系列,“110”表示典型导通电阻值(单位为毫欧),“N”表示 N 沃特型,“03”表示额定电压为 30V,“MS”则表明封装形式为表面贴装类型。

参数

额定电压:30V
  最大漏极电流:110A
  导通电阻:1.1mΩ
  栅极电荷:26nC
  总电容:450pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

BSO110N03MS G 的关键特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),在 10V 栅源电压下仅为 1.1 毫欧,从而减少了传导损耗,提高了系统效率。
  2. 高额定电流能力,最大漏极电流可达 110 安培,适用于大功率应用场景。
  3. 快速开关性能,其较低的栅极电荷与输出电容确保了高频下的高效运行。
  4. 封装采用小型化设计,便于表面贴装并节省 PCB 空间。
  5. 耐高温性能出色,工作温度范围可扩展至 -55℃ 至 +175℃,适应恶劣环境条件。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

BSO110N03MS G 广泛用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流元件。
  2. 电动车及工业设备中的电机控制和驱动电路。
  3. 太阳能逆变器中的功率调节组件。
  4. 电池管理系统 (BMS) 中的保护和切换功能。
  5. 各种负载开关和保护电路,例如过流保护和短路保护。
  6. 高频 PWM 控制器中的功率级开关元件。

替代型号

BSO118N03LS G, IRF3710, FDP150N03L

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BSO110N03MS G参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11 毫欧 @ 12.1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1500pF @ 15V
  • 功率 - 最大1.56W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装PG-DSO-8
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BSO110N03MS G-NDBSO110N03MS GINTRSP000446062