时间：2025/5/22 23:34:26
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BSO104N3S 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管 (MOSFET)，采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高效率和快速开关性能。该器件适用于各种电源管理和功率转换应用，例如开关电源、电机驱动器和 DC-DC 转换器等。BSO104N3S 的封装形式通常为 TO-252 或 DPAK，能够提供出色的散热性能。
这款 MOSFET 的主要特点是其较低的 Rds(on)（导通电阻），能够在高频开关条件下显著降低功耗，同时保持较高的电流承载能力。此外，它还具备良好的雪崩击穿能力和 ESD 保护特性，从而增强了其在恶劣环境中的可靠性。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻（Rds(on)）：6.5mΩ
栅极阈值电压：1.2V 至 3V
总功耗：1.15W
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-252(DPAK)
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可减少传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关性能，适合高频应用。
3. 高雪崩击穿能力，增强器件的鲁棒性。
4. 小尺寸封装，节省 PCB 空间。
5. 宽工作温度范围，适应多种环境条件。
6. 具备优异的热稳定性，确保长期可靠运行。
7. 内置 ESD 保护，提升抗干扰能力。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动和控制
4. 电池管理与保护电路
5. 负载开关
6. 工业自动化设备中的功率级控制
7. 便携式电子设备中的高效功率管理
BSC010N06NS, IRLZ44N, FDN339AN
