时间：2025/6/23 10:26:26
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BSO072N03S 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为低导通电阻和高效率应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具有出色的开关特性和较低的导通损耗，适用于多种功率转换和电机驱动等场景。
其封装形式通常为 SOP-8，能够提供高效的散热性能，同时具备较高的电流承载能力。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：7.2A
导通电阻：1.8mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：16nC（典型值）
开关时间：开启延迟时间 15ns，下降时间 9ns（典型值）
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
BSO072N03S 的主要特点是低导通电阻，这使得它在高频开关应用中能够减少功耗并提高整体效率。
此外，其小型化的 SOP-8 封装便于 PCB 布局，同时支持表面贴装技术（SMT），从而简化生产流程。
该器件还拥有快速开关速度，可显著降低开关损耗，并且具有良好的热稳定性和可靠性，适合要求苛刻的工业及汽车环境。
该 MOSFET 广泛应用于 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）、电机驱动电路、负载开关以及电池管理等领域。
由于其低导通电阻和高电流处理能力，BSO072N03S 非常适合用作同步整流器中的功率开关元件，同时也可用于消费电子设备中的保护电路设计。
NTMFS4838N
IRLZ44N
FDP150N03L
