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BSM120D12P2C005 发布时间 时间:2025/12/25 12:56:55 查看 阅读:11

BSM120D12P2C005是一款由英飞凌(Infineon)公司生产的高性能IGBT模块,属于PrimePACK系列,专为高功率、高效率的工业应用而设计。该模块集成了多个IGBT芯片和反并联二极管,采用先进的封装技术,具备优异的热性能和电气可靠性。BSM120D12P2C005适用于大功率变频器、风力发电逆变器、工业电机驱动以及不间断电源(UPS)等对系统效率和可靠性要求极高的场合。该模块额定电压为1200V,额定电流为120A,采用半桥拓扑结构,能够有效降低开关损耗,提高系统整体能效。其坚固的模块封装设计支持长期在高温、高湿、高振动等恶劣环境下稳定运行,并可通过螺栓直接安装到散热器上,实现高效散热。此外,该模块内部采用压接式连接技术,避免了传统焊线带来的热疲劳问题,提高了功率循环能力和寿命。BSM120D12P2C005还具备良好的电磁兼容性(EMC),有助于减少外部干扰,提升系统的稳定性与安全性。作为一款成熟的工业级功率模块,它广泛应用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子变换系统中。

参数

型号:BSM120D12P2C005
  品牌:Infineon
  类型:IGBT模块
  拓扑结构:半桥(Half-Bridge)
  额定电压(VCES):1200 V
  额定电流(IC at 25°C):120 A
  最大结温(Tj max):150 °C
  开关频率:典型值可达 18 kHz
  栅极电荷(Qg):约 3.6 μC
  导通电阻(VCE(sat) @ IC=120A, VGE=15V):约 2.15 V
  反向恢复时间(trr):典型值 < 45 ns
  绝缘电压:≥ 3.7 kV AC / 分钟
  热阻(Rth(j-c)):约 0.25 K/W
  安装方式:螺钉安装
  封装类型:PrimePACK? 3+

特性

BSM120D12P2C005采用了Infineon先进的IGBT4芯片技术,结合优化的沟槽栅场截止(Trench Gate Field-Stop)结构,显著降低了导通压降与开关损耗之间的折衷矛盾,从而在宽负载范围内实现了更高的能效表现。该模块内部的IGBT芯片具有非常低的VCE(sat),在额定工作条件下可有效减少传导损耗,提升系统效率,尤其适用于连续高负载运行的应用场景。同时,其配套的快速软恢复二极管具备极低的反向恢复电荷(Qrr)和反向恢复电流尖峰,大幅减小了换流过程中的电磁干扰(EMI)和电压过冲风险,提升了系统的电磁兼容性和可靠性。
  该模块采用PrimePACK? 3+封装平台,具备出色的机械强度和热管理能力。其无焊线压接技术(Press-Fit Technology)替代了传统的铝线键合,不仅增强了抗热疲劳性能,还提高了功率循环寿命,特别适合经历频繁启停或温度剧烈变化的工况。模块底部使用高强度陶瓷覆铜板(DBC),提供优良的电气绝缘与导热性能,确保热量从芯片高效传递至散热器。此外,模块具备较高的绝缘耐压能力(≥3.7kV AC),满足工业设备的安全隔离要求,适用于电网连接类系统如太阳能逆变器和风力发电机组。
  BSM120D12P2C005还集成了温度传感器(NTC热敏电阻),便于系统实时监测模块内部温度,实现精确的过温保护与热管理策略。其端子布局经过优化设计,减少了寄生电感,有助于抑制关断时的电压尖峰,进一步提升系统鲁棒性。整个模块符合RoHS环保标准,并通过AEC-Q101等可靠性认证,保证在严苛环境下的长期稳定运行。

应用

BSM120D12P2C005广泛应用于各类中高功率电力电子系统中。在工业驱动领域,常用于高性能通用变频器和伺服驱动器中,作为主逆变电路的核心开关元件,实现对交流电机的精准调速与控制。在可再生能源系统中,该模块被广泛应用于风力发电机组的网侧与机侧变流器中,承担能量转换与并网调节功能,其高效率与高可靠性保障了风电系统的长期稳定运行。此外,在太阳能光伏逆变器中,BSM120D12P2C005可用于中大型集中式或组串式逆变器的DC/AC转换部分,支持高直流输入电压与高效能量回馈。
  在电力基础设施方面,该模块适用于不间断电源(UPS)系统中的逆变单元,确保在市电中断时能够迅速切换并持续供电,保障关键负载的安全运行。同时,它也可用于有源电力滤波器(APF)、静态无功补偿装置(SVG)等电能质量治理设备中,实现谐波抑制与无功补偿功能。在轨道交通与电动汽车充电设施中,该模块因其高功率密度与良好热性能,也被用于部分辅助电源系统或中等功率充电桩的主电路设计中。得益于其坚固的封装与优异的可靠性,BSM120D12P2C005特别适合部署于高温、高湿、多尘等恶劣工业环境中,是现代高效电力变换系统的理想选择之一。

替代型号

FF1200R12IP4
  FS1200R12KE3
  BSM120D12P3G005

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BSM120D12P2C005参数

  • 现有数量23现货
  • 价格1 : ¥3,508.45000散装
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 技术碳化硅(SiC)
  • 配置2 个 N 通道(半桥)
  • FET 功能-
  • 漏源电压(Vdss)1200V(1.2kV)
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)120A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)-
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.7V @ 22mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)14000pF @ 10V
  • 功率 - 最大值780W
  • 工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型-
  • 封装/外壳模块
  • 供应商器件封装模块