时间：2025/7/9 21:17:57
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BSL802SN是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够在高频应用中提供高效的性能表现。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：130A
导通电阻：1.4mΩ
总栅极电荷：75nC
输入电容：2500pF
工作温度范围：-55℃至175℃
BSL802SN采用了先进的制造工艺，确保了其低导通电阻和高效率。该器件的漏源电压为60V，适合中低压应用场景。其130A的持续漏极电流能力使其能够应对大电流负载需求。
此外，该MOSFET具备快速开关特性，这主要得益于其较小的总栅极电荷（75nC）。在高频开关电路中，这一特点有助于降低开关损耗，提高整体效率。
BSL802SN的工作温度范围从-55℃到175℃，表明其可以在极端环境下稳定运行，适用于工业和汽车领域等多种严苛的应用场合。
BSL802SN广泛应用于多种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动
4. 太阳能逆变器
5. 电池管理系统（BMS）
6. 工业控制
7. 汽车电子系统
由于其出色的电气特性和宽广的工作温度范围，BSL802SN特别适合需要高效能和高可靠性的应用环境。
BSL806SN
IRLB8748PBF
FDP077N06A
