BSL802SN 时间：2025/7/9 21:17:57 阅读：4

BSL802SN是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够在高频应用中提供高效的性能表现。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　持续漏极电流：130A
　　导通电阻：1.4mΩ
　　总栅极电荷：75nC
　　输入电容：2500pF
　　工作温度范围：-55℃至175℃

特性

BSL802SN采用了先进的制造工艺，确保了其低导通电阻和高效率。该器件的漏源电压为60V，适合中低压应用场景。其130A的持续漏极电流能力使其能够应对大电流负载需求。
　　此外，该MOSFET具备快速开关特性，这主要得益于其较小的总栅极电荷（75nC）。在高频开关电路中，这一特点有助于降低开关损耗，提高整体效率。
　　BSL802SN的工作温度范围从-55℃到175℃，表明其可以在极端环境下稳定运行，适用于工业和汽车领域等多种严苛的应用场合。

应用

BSL802SN广泛应用于多种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）
　　2. DC-DC转换器
　　3. 电机驱动
　　4. 太阳能逆变器
　　5. 电池管理系统（BMS）
　　6. 工业控制
　　7. 汽车电子系统
　　由于其出色的电气特性和宽广的工作温度范围，BSL802SN特别适合需要高效能和高可靠性的应用环境。