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BSL802SN 发布时间 时间:2025/7/9 21:17:57 查看 阅读:4

BSL802SN是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度,能够在高频应用中提供高效的性能表现。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:130A
  导通电阻:1.4mΩ
  总栅极电荷:75nC
  输入电容:2500pF
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

BSL802SN采用了先进的制造工艺,确保了其低导通电阻和高效率。该器件的漏源电压为60V,适合中低压应用场景。其130A的持续漏极电流能力使其能够应对大电流负载需求。
  此外,该MOSFET具备快速开关特性,这主要得益于其较小的总栅极电荷(75nC)。在高频开关电路中,这一特点有助于降低开关损耗,提高整体效率。
  BSL802SN的工作温度范围从-55℃到175℃,表明其可以在极端环境下稳定运行,适用于工业和汽车领域等多种严苛的应用场合。

应用

BSL802SN广泛应用于多种电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动
  4. 太阳能逆变器
  5. 电池管理系统(BMS)
  6. 工业控制
  7. 汽车电子系统
  由于其出色的电气特性和宽广的工作温度范围,BSL802SN特别适合需要高效能和高可靠性的应用环境。

替代型号

BSL806SN
  IRLB8748PBF
  FDP077N06A

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