BSL802SN是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度,能够在高频应用中提供高效的性能表现。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
持续漏极电流:130A
导通电阻:1.4mΩ
总栅极电荷:75nC
输入电容:2500pF
工作温度范围:-55℃至175℃
BSL802SN采用了先进的制造工艺,确保了其低导通电阻和高效率。该器件的漏源电压为60V,适合中低压应用场景。其130A的持续漏极电流能力使其能够应对大电流负载需求。
此外,该MOSFET具备快速开关特性,这主要得益于其较小的总栅极电荷(75nC)。在高频开关电路中,这一特点有助于降低开关损耗,提高整体效率。
BSL802SN的工作温度范围从-55℃到175℃,表明其可以在极端环境下稳定运行,适用于工业和汽车领域等多种严苛的应用场合。
BSL802SN广泛应用于多种电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动
4. 太阳能逆变器
5. 电池管理系统(BMS)
6. 工业控制
7. 汽车电子系统
由于其出色的电气特性和宽广的工作温度范围,BSL802SN特别适合需要高效能和高可靠性的应用环境。
BSL806SN
IRLB8748PBF
FDP077N06A